11月16日，2017第十三屆中國太陽級硅及光伏發(fā)電研討會在徐州開幕。保利協(xié)鑫首席技術官萬躍鵬在參加大會主題論壇時指出，在近一年的時間里，與高效多晶相關的一系列技術研發(fā)接連取得重要突破，正處于技術提升和產(chǎn)業(yè)化應用的快速推廣期。未來一段時期，高效多晶技術將在成本、效率等方面取得快速進步。

萬躍鵬報告指出，高效化是光伏技術研發(fā)的重心。近一年以來，多晶路線的技術研發(fā)主要圍繞著表面制絨技術展開，包括添加劑制絨、濕法黑硅和干法黑硅的三種技術路線都取得了重要進展。但從目前來看，濕法黑硅是最具性價比、最有市場前景的。保利協(xié)鑫曾在去年11月發(fā)布了濕法黑硅技術，該類型硅片擁有完美的電池外觀、優(yōu)質(zhì)的陷光性能、更高的轉化效率，以及更加低廉的價格。這個月，保利協(xié)鑫在無錫又發(fā)布了最新研發(fā)的TS+黑硅技術，相比目前市場上主流的多晶組件，60片型TS+黑硅組件可獲得效率增益達5瓦以上，組件功率輕松突破275瓦；同時，組件成本可降低6.5分/瓦。

“黑硅技術的突破，以及國產(chǎn)化金剛線機臺改造、低成本的金剛線細線是金剛線多晶硅片得以在今年快速推廣的三個最主要的因素”，萬躍鵬指出，“任何技術都有其快速提升期，得益于這三個主要技術領域的協(xié)同推進，未來，多晶技術在降本、增效方面的進步將快速顯現(xiàn)”。他表示，黑硅技術在提升電池效率方面仍有進步空間，同時，金剛線細線化、國產(chǎn)化機臺改造的快速推進將使金剛線多晶硅片更具競爭力。

“可以說，前幾年高效多晶技術的主攻方向是圍繞著晶體結構進行的體材料提效，而近一年則是以黑硅技術為代表的硅片表面提效，下一階段將是圍繞著多晶PERC的電池效率提升，終極目標是鑄錠單晶技術提效”，萬躍鵬表示，未來，多晶技術進一步的提升將集中在減少晶體缺陷、優(yōu)化鑄錠單晶技術、提升黑硅效率、減少鑄錠硬質(zhì)點、優(yōu)化金剛線切多晶、薄片化和大尺寸的硅片等方面，多晶技術仍有很大的提升空間。

中國太陽級硅及光伏發(fā)電研討會由中國可再生能源學會、上海市太陽能學會共同主辦。本屆會議共設置了近20個分論壇和邊會，參會人數(shù)超過800人，總報告數(shù)量超過330篇，規(guī)模創(chuàng)下歷屆新高。歷經(jīng)十余年發(fā)展，中國太陽級硅及光伏發(fā)電研討會已成為國內(nèi)光伏企業(yè)關注最新技術成果和研發(fā)方向的重要窗口，是我國光伏全產(chǎn)業(yè)鏈最有價值、最具權威的學術會議之一。