近日，全球領先的清潔能源應用系統的推動者和領先者蘇美達輝倫(Phono Solar)宣布，公司自主研發(fā)的黑硅電池片新工藝——《一種多晶硅表面倒金字塔結構及其制備方法》獲得了中華人民共和國知識產權局授予的發(fā)明專利（專利編號：201610005713.6）。這是蘇美達輝倫(Phono Solar)在黑硅電池片技術上的重大突破，同時也體現了蘇美達輝倫(Phono Solar)在降低度電成本、促進光伏發(fā)電產業(yè)發(fā)展中的央企擔當。

近年來，隨著以促進光伏產業(yè)升級為目標的“光伏領跑者計劃”實施，黑硅、PERC、MWT等提升電池片效率的先進技術成為行業(yè)領軍企業(yè)搶占市場的武器。專業(yè)調研機構Energy Trend指出，在光伏行業(yè)長期的競爭中，無數事實證明，在技術進步的背后，維持組件性價比優(yōu)勢才能根本上保住市場地位。正因如此，黑硅技術的優(yōu)勢盡顯：在同樣的光照時長之下，擁有黑硅技術的光伏組件，可以在清晨和黃昏等光照強度很弱的情況下進行工作，相比常規(guī)組件，黑硅技術可以吸收更寬頻譜的光線，這使得蘇美達輝倫(Phono Solar)組件在成本不變的前提下，比常規(guī)組件的“比功率”（kwh/kw）高出3%。

縱觀行業(yè)，目前有許多實驗室能夠通過不同的方法制備出黑硅，如飛秒激光脈沖法、等離子體刻蝕法及金屬離子輔助刻蝕法等。但這些傳統方法所制成的黑硅納米陷光結構通常具有結構較小、密、深且缺陷多的特征，甚至有雜質殘留，這些黑硅結構如果沒有進行優(yōu)化的話，將導致嚴重的表面復合反而使電池片的效率下降。

蘇美達輝倫(Phono Solar)自主研發(fā)的新型方法采用了一種不同于行業(yè)中傳統酸堿腐蝕工藝的濕式工藝方法，將不同納米結構的黑硅通過氧化腐蝕成具有規(guī)則的倒金字塔結構的納米絨面結構。相對于傳統多晶硅絨面，多晶硅倒金字塔陷光結構對光的利用率更高，反射率更低。同時，因其倒金字塔結構特點，相對于傳統黑硅結構的高表面復合，其表面復合明顯降低，使得太陽能電池的效率更高，這種新型技術的發(fā)明為黑硅技術的大規(guī)模量產奠定了堅實的基礎。

對于蘇美達輝倫（Phono Solar）人來說，這項發(fā)明專利的獲得僅僅是無數科研成果中的一項，在未來光伏組件最終形式這一課題上蘇美達輝倫（Phono Solar）人走出了屬于自己的獨特道路。

 如上文所說，黑硅電池片在弱光下的表現要明顯優(yōu)于其他電池片技術，而MWT技術因為取消了電池片表面的柵線從而增大了受光面積，如果將這兩種提升電池片效率的技術合二為一，是否能起到1+1＞2的功效？這一想法，在蘇美達輝倫（Phono Solar）人的不斷探索下成為了現實，蘇美達輝倫（Phono Solar）計劃于年內推出基于“黑硅+MWT”的復合高性能光伏組件，該產品將充分結合兩項提升電池片效率的技術的優(yōu)勢，令發(fā)電效率實現突破性提升，從而為進一步降低度電成本提供巨大的助力。

知識經濟時代，創(chuàng)新日益成為企業(yè)發(fā)展的源泉和動力。蘇美達輝倫(Phono Solar)將憑借頂尖的研發(fā)團隊、領先的技術實力、高端的制造設備，堅持自主創(chuàng)新，在不斷提升企業(yè)自身研發(fā)與制造水平的同時，助推我國光伏制造水平向高端化、智能化發(fā)展。