G3是采用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶的第三代升級(jí)，99%的晶體是單晶結(jié)構(gòu)，電池客戶用常規(guī)工藝和PERC工藝驗(yàn)證后獲得的光電轉(zhuǎn)換率比直拉單晶低0.5個(gè)百分點(diǎn)，其成本卻接近鑄錠工藝，比直拉單晶低得多。

上海SNEC展期間，保利協(xié)鑫發(fā)布全新一代鑄錠單晶產(chǎn)品“鑫單晶”G3。據(jù)發(fā)布會(huì)介紹，G3是采用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶的第三代升級(jí)，99%的晶體是單晶結(jié)構(gòu)，電池客戶用常規(guī)工藝和PERC工藝驗(yàn)證后獲得的光電轉(zhuǎn)換率比直拉單晶低0.5個(gè)百分點(diǎn)，其成本卻接近鑄錠工藝，比直拉單晶低得多。這引起市場(chǎng)熱議，G3量產(chǎn)會(huì)不會(huì)取代目前普及的直拉單晶?尤其目前直拉單晶價(jià)格高達(dá)6元/瓦以上，而多晶硅片價(jià)格已直逼4元左右，2元/片的價(jià)差，每片的功率都在4.5-4.9瓦之間不相上下，差距不足10%。

保利協(xié)鑫介紹鑄錠單晶G3具有“高產(chǎn)能、高效率、低成本、低光衰”優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)是轉(zhuǎn)換效率與直拉單晶相當(dāng)。鑄錠單晶技術(shù)產(chǎn)出的同樣是晶向一致、位錯(cuò)密度低的單晶，可與傳統(tǒng)直拉單晶一樣使用堿制絨工藝，因此轉(zhuǎn)換效率非常接近直拉單晶產(chǎn)品，并完全適用于PERC等高效電池技術(shù)，帶來(lái)更高的產(chǎn)品效率。數(shù)據(jù)顯示，G3在常規(guī)電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個(gè)百分點(diǎn)。更重要的是，99%的部分是這種晶向一致、位錯(cuò)密度低的單晶。

第二個(gè)是光致衰減低，G3硅片繼承了鑄錠技術(shù)產(chǎn)品“光衰”較低的優(yōu)點(diǎn)，氧含量?jī)H為直拉單晶的一半，甚至優(yōu)于常規(guī)多晶硅片，由此帶來(lái)的組件光衰顯著優(yōu)于傳統(tǒng)直拉單晶。

第三是單片尺寸擴(kuò)大。G3硅片比同樣邊長(zhǎng)為156.75mm的直拉單晶硅片面積多出136mm²，這意味著封裝成組件時(shí)的損失更小，且更容易擴(kuò)大尺寸，全壽命周期的實(shí)際輸出功率更高，可為應(yīng)用端帶來(lái)實(shí)實(shí)在在的高收益。

第四是綜合成本優(yōu)勢(shì)顯著。鑄錠一爐可上千公斤，其高產(chǎn)優(yōu)于任何直拉四米，一爐四根、五根的直拉單晶工藝。鑄錠單晶的晶體結(jié)構(gòu)可以直接匹配金剛線切割技術(shù)。保利協(xié)鑫沒(méi)有給出具體的成本數(shù)據(jù)，但據(jù)其稱，目前階段，成本只比鑄錠高一些，主要是熱場(chǎng)改造，運(yùn)行參數(shù)方面比多晶嚴(yán)格。但成本一定比直拉單晶低很多，到底低多少，可參照的就是本周保利協(xié)鑫的金剛線切多晶在一片難求的情況下仍然定價(jià)4.2元/片。

據(jù)報(bào)道，這次發(fā)布會(huì)引來(lái)阿特斯、天合、晶澳、晉能、通威等行業(yè)大佬站臺(tái)。茂迪股份董事長(zhǎng)張秉衡在發(fā)布會(huì)上為鑄錠單晶新品叫好，他同時(shí)抱怨說(shuō)今年由于政策的原因?qū)е聠尉Мa(chǎn)品供應(yīng)失衡，給業(yè)者造成了很大困擾，有大量新建的單晶電池、組件投資卻買不到硅片。

目前為止，不知道單晶廠家怎么看。