未來三五年內(nèi)的技術(shù)路線仍然是晶體硅占絕對主導(dǎo)，硅料端技術(shù)以成熟的硅烷流化床法逐步取代現(xiàn)有的改良西門子法，硅片端的“金剛線切多晶+黑硅+PERC”成為市場標(biāo)配，擠壓單晶硅片市場，直拉單晶工藝會讓位于鑄造單晶工藝。50多吉瓦的多晶鑄錠設(shè)備會通過熱場改造進(jìn)一步提升高效多晶產(chǎn)能、改善晶體結(jié)構(gòu)和產(chǎn)出高性價比鑄造單晶;而10多吉瓦的直拉單晶設(shè)備，在高效N型單晶成本仍高的三年內(nèi)，至少一半以上產(chǎn)能面臨閑置。

市場價格下滑仍然是常態(tài)，在光伏平價上網(wǎng)到來之前，光伏全產(chǎn)業(yè)鏈價格逐年下調(diào)，光伏發(fā)電成本降低，促進(jìn)光伏應(yīng)用市場擴(kuò)大。從2017年的價格走勢看，仍然是上半年上揚(yáng)，“6.30”后急凍，第四季度恢復(fù)，呈斜“N”型軌跡，全年整體呈下降趨勢。生產(chǎn)負(fù)荷和市場交易量也偏重上半年，這主要受中國市場影響，如2016年全球70吉瓦的光伏組件，中國本土產(chǎn)量就達(dá)50吉瓦，而在中國當(dāng)年的安裝量就達(dá)30吉瓦，而且為趕"6.30"調(diào)價期限，大部分交易在上半年。今年的“6.30”影響不如去年明顯，但“領(lǐng)跑者計劃”項目集中并網(wǎng)影響也很大，由于“領(lǐng)跑者計劃”對單多晶效率標(biāo)準(zhǔn)制定沒有拉開差距，去年的投標(biāo)方案大比例選擇了單晶組件以獲得技術(shù)評分，在單晶產(chǎn)能不足的情況下造成供應(yīng)緊張，價格漲幅高，預(yù)計“6.30”后跌幅也大，斜“N”型的價格走勢中單晶的上下幅度大，多晶則相對平緩。預(yù)計2017年四季度，隨著金剛線切多晶及黑硅產(chǎn)能提速，單多晶性價比差距拉大，市場上單多晶比例將從2.5：7.5回落到2：8。