諾發(fā)系統(tǒng)今天宣布導(dǎo)入次世代超紫外線熱力學(xué)制程系統(tǒng)SOLA xT，將其應(yīng)用在先進(jìn)的45奈米以下的邏輯元件生產(chǎn)，其利用超紫外線的照射來改善前一道制程鍍上的薄膜特性，這一新系統(tǒng)可監(jiān)控紫外線強(qiáng)度及提供客制化的波長(zhǎng)光線組合，因此可將系統(tǒng)延用到多世代。第一套SOLA xT 系統(tǒng)將運(yùn)送到新加坡的聯(lián)華電子晶圓工廠Fab 12i。

多平臺(tái)續(xù)列式制程（MSSP）結(jié)構(gòu)的SOLA可以獨(dú)立控制每一單一平臺(tái)的溫度、波長(zhǎng)和強(qiáng)度，以提供最佳的產(chǎn)品一致性和效率。這種高度可配置的紫外線處理制程比單波長(zhǎng)，單溫固化制程可讓超低介電質(zhì)薄膜提高額外百分之二十五的硬度。例如，UVTP用來除去致孔劑，以及提高金屬間層的ULK介質(zhì)膜機(jī)械強(qiáng)度，以利于積體元件整合及后續(xù)薄膜處理之包裝和化學(xué)機(jī)械研磨（CMP步驟）。對(duì)于另一種使用spin-on介電薄膜的整合制程會(huì)在蝕刻，濕式清洗，光阻灰化過程中受損。在這種情況下，UVTP可通過化學(xué)鍵重建修復(fù)這種損傷。在前端制程，UVTP還可用來對(duì)N型金屬氧化物半導(dǎo)體閘道作應(yīng)變力誘導(dǎo)晶體通道的設(shè)備。應(yīng)變力誘導(dǎo)首先是沉積高拉伸應(yīng)力的介電薄膜，并隨后將其暴露在紫外線更加大其應(yīng)變力，進(jìn)而導(dǎo)致增加了元件的性能。

對(duì)于上述的所有應(yīng)用，監(jiān)控設(shè)備的性能健康度和晶圓的性能的一致性，對(duì)提高量產(chǎn)生產(chǎn)效率而言是必需的。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，新的SOLA xT平臺(tái)配置紫外線監(jiān)測(cè)功能和先進(jìn)的演驛法，以維持對(duì)晶圓上元件的性能均勻度和穩(wěn)定性?？椭苹腟OLA xT的光學(xué)組件對(duì)每個(gè)四個(gè)單一連續(xù)性平臺(tái)做紫外線導(dǎo)向的最佳化，可達(dá)到晶片內(nèi)部的最佳一致性成果。在連續(xù)式多平臺(tái)系統(tǒng)架構(gòu)下，可確保每個(gè)晶圓通過相同的通道統(tǒng)計(jì)出單一性能分布，相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手平臺(tái)具有多達(dá)4個(gè)或6個(gè)不同晶圓的路徑，因此統(tǒng)計(jì)出晶圓有著許多不同的性能分布。

諾發(fā)系統(tǒng)PECVD產(chǎn)品業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁凱文詹寧斯說：「新SOLA xT是為了滿足市場(chǎng)所需成熟的UVTP系統(tǒng)，以適合大批量產(chǎn)的32奈米元件， 可獨(dú)立控制溫度、紫外線波長(zhǎng)及紫外線強(qiáng)度，使SOLA xT能擴(kuò)展到下一代有可能推出新材料技術(shù)」。

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關(guān)于諾發(fā)系統(tǒng)SOLAR超紫外線熱處理系統(tǒng)
諾發(fā)公司SOLAR超紫外線熱處理系統(tǒng)（UVTP）是用于沉積低介電常數(shù)薄膜后的處理以提高機(jī)械和電氣性能。它也被用于前段制程，以提高氮化矽薄膜高強(qiáng)度應(yīng)力來改善NMOS元件的性能。連續(xù)式多平臺(tái)處理架構(gòu)的SOLA平臺(tái)同時(shí)能提供系卓越的晶圓上均勻性, 晶圓到晶圓均勻性和重復(fù)性以及量產(chǎn)的高生產(chǎn)力。