日本羅姆公開了其開發(fā)的新型SiC功率模塊。特點(diǎn)是將開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓（過沖電壓）降低了35％。該公司在會(huì)場(chǎng)內(nèi)進(jìn)行了設(shè)想應(yīng)用于太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器的展示。在該展示中，強(qiáng)調(diào)了高開關(guān)速度和出色的耐熱性。

 　　功率調(diào)節(jié)器由兩部分構(gòu)成，一是對(duì)太陽電池的輸出功率進(jìn)行升壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器，另一個(gè)是將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的變頻器。均采用了新開發(fā)的新型功率模塊。通過使用開發(fā)產(chǎn)品，與Si元件構(gòu)成的功率模塊相比，可提高開關(guān)頻率。原因是能夠降低高速開關(guān)時(shí)的難點(diǎn)――浪涌電壓。比如，可將Si功率模塊為10kHz的開關(guān)頻率提高至100kHz，由此可將電抗器的體積減小至約1/10。

　　耐熱性方面，使用開發(fā)產(chǎn)品的SiC元件即使接合溫度達(dá)到250℃也可驅(qū)動(dòng)。而原來的Si元件在接合溫度達(dá)到150℃左右時(shí)即達(dá)到極限。通過提高接合溫度可實(shí)現(xiàn)大電流驅(qū)動(dòng)，開發(fā)產(chǎn)品能夠輸出相當(dāng)于Si功率模塊1.5倍左右的約16kW功率。

　　此次開發(fā)的SiC功率模塊由4個(gè)SiC制DMOS和2個(gè)肖特基二極管（SBD）構(gòu)成。作為模塊的輸出電流為100A左右。DMOS的芯片尺寸為2.4mm×4.8mm。單芯片可輸出20～30A電流。（記者：根津 禎）