意法半導(dǎo)體推出全新M系列1200V IGBT，以先進(jìn)的溝槽式場截止（trench-gate field-stop）技術(shù)為特色，可最大幅度地降低電壓過沖，消除關(guān)機(jī)期間常出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象，有效提升太陽能逆變器、焊接設(shè)備、不斷電系統(tǒng)與工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等多項(xiàng)應(yīng)用的能效與可靠性。



高度優(yōu)化的傳導(dǎo)性與關(guān)斷性以及低導(dǎo)通耗損，讓全新進(jìn)化的IGBT特別適合用于執(zhí)行頻率高達(dá)20kHz的硬式開關(guān)電路；可承受的最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍無鎖定效應(yīng)，150°C時(shí)的短路耐受時(shí)間為10µs。

同時(shí)，低飽和電壓可確保新產(chǎn)品具有很高的傳導(dǎo)效率、正溫度系數(shù)與窄飽和電壓范圍可簡化新產(chǎn)品的平行設(shè)計(jì)，有助于提高功率處理性能。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向平行的新一代二極管一同封裝，帶來快速的恢復(fù)時(shí)間和更佳的軟度回復(fù)特性且不會(huì)使導(dǎo)通耗損明顯上升，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。