近日，裝有首批8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平，標志著由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。

作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。但是，國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚，受制于人，發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場因此一直被國外公司壟斷。

早在二十世紀六十年代初，中國南車株洲所就依靠自己的力量，培養(yǎng)了我國最早的半導體器件研發(fā)隊伍。改革開放后，中國南車株洲所從美國西屋公司引進一條3英寸大功率半導體生產(chǎn)線，從而走上了一條自主開發(fā)和吸收引進相結(jié)合的道路。通過消化和吸收，中國南車株洲所逐步追趕世界先進水平，并先后成功研制出5英寸系列普通晶閘管和整流管及世界上第一只6英寸晶閘管。

2008年，中國南車株洲所下屬的南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導體公司，以“資金”換“時間”，實現(xiàn)了在IGBT領(lǐng)域的第一次跨越。經(jīng)過長達4年的技術(shù)消化、吸收與再創(chuàng)新，2012年5月，中國南車株洲所在株洲投資15億元，建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，并于2014年6月正式投產(chǎn)。

芯片下線后，該公司科研團隊持續(xù)推動自主IGBT芯片的應(yīng)用考核。今年10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線的城軌車輛。

此次試運行的IGBT模塊，由南車時代電氣自主研發(fā)的8英寸IGBT芯片封裝而成，IGBT芯片制造、封裝、測試的整套技術(shù)均在公司研制和生產(chǎn)。此次成功試運行，拉開了國產(chǎn)8英寸IGBT芯片應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域的序幕，打破了國際壟斷。