新罕布什爾州梅里馬克 2014-06-17－－GT Advanced Technologies Inc.（納斯達克代碼：GTAT）今日宣布，公司專有的新一代HiCz連續(xù)加料直拉技術贏得了一個新項目，可望促進太陽能產(chǎn)業(yè)向更高效率及更低成本的太陽能材料過渡。 公司與Qatar Solar Energy(QSE)達成協(xié)議，向QSE于卡塔爾在多哈的集成光伏制造項目提供HiCz(TM)200熔爐。 QSE在最近的一份新聞稿中表示，QSE已實現(xiàn)了300 MW產(chǎn)能的綜合設施，并將進一步擴大至2.5 GW。 該供應協(xié)議須待QSE通過政府批準及融資成功后方可作實，屆時GT將獲得來自QSE的設備訂單。

“我們很高興GT能被選擇為QSE提供HiCz(TM)200單晶熔爐，”GT太陽能業(yè)務部行政副總裁Dave Keck表示。 “我們領先的HiCz技術被中東及北非地區(qū)首個垂直一體化光伏制造廠所采用，對GT來說這是一個令人興奮的機會。 GT的 HiCz 200熔爐可望生產(chǎn)效率超過22%的優(yōu)質n型太陽能電池片。”

HiCz是GT專有的新一代光伏行業(yè)的單晶直拉爐，可生產(chǎn)p型及n型單晶晶棒。 HiCz連續(xù)加料長晶工藝比傳統(tǒng)的間歇式Cz熔爐更具明顯優(yōu)勢，使得其更適合n型硅錠生產(chǎn)。 HiCz長晶工藝生產(chǎn)更長的晶棒、材料均勻性更高、電阻率更低。 該工藝流程通過增加產(chǎn)量降低晶片的成本，提高了材料品質，并有助于提高太陽能電池片的效率。

關于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家領先的多元化技術公司，專門為全球消費類電子產(chǎn)品、功率元器件產(chǎn)品、太陽能及LED行業(yè)生產(chǎn)先進材料及創(chuàng)新晶體生長設備。其技術創(chuàng)新讓更多的先進材料可以加快投入市場使用，并在全球各個不同市場催生新一代的產(chǎn)品面世。有關GT Advanced Technologies的更多信息，請瀏覽www.gtat.com。