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富士電機(jī)推進(jìn)SiC MOSFET實(shí)用化,首先用于光伏逆變器

   2014-06-03 日經(jīng)BP社17310
核心提示:富士電機(jī)開(kāi)始推進(jìn)SiC MOSFET的實(shí)用化。最初打算用于該公司2014年8月開(kāi)始量產(chǎn)的大型光伏電站用逆變器,該逆變器的輸入電壓為DC1000V

富士電機(jī)開(kāi)始推進(jìn)SiC MOSFET的實(shí)用化。最初打算用于該公司2014年8月開(kāi)始量產(chǎn)的大型光伏電站用逆變器,該逆變器的輸入電壓為DC1000V、輸出功率為1000kW。該公司已經(jīng)推出了SiC二極管產(chǎn)品,在逆變器的升壓電路中采用了配備該SiC二極管和該公司的SiC MOSFET的功率模塊,由此提高了轉(zhuǎn)換效率并實(shí)現(xiàn)了小型化。新款逆變器的轉(zhuǎn)換效率為98.8%,屬于“行業(yè)最高水準(zhǔn)”(富士電機(jī)),該公司以前產(chǎn)品的效率為98.5%。

逆變器新產(chǎn)品的尺寸為2980mm×1900mm×900mm,比原產(chǎn)品小20%。體積減小后,無(wú)需分拆即可搬運(yùn)。以前,1000kW級(jí)的逆變器尺寸較大,一般需要拆開(kāi)來(lái)搬運(yùn),“此次是業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)1000kW級(jí)的一體型室內(nèi)機(jī)”(富士電機(jī))。

該逆變器配備的SiC功率元件在富士電機(jī)的松本工廠生產(chǎn),采用的是口徑為150mm(6英寸)的SiC基板。
 
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