· Endura® Ventura™ PVD系統能將高深寬比的硅通孔（TSV）結構用于銅互連技術，并使成本降低多達50％
· 業(yè)界首款用于量產的PVD鈦阻擋層解決方案，顯著提升TSV可靠性

2014年5月28日，加利福尼亞州圣克拉拉——全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)精密材料工程解決方案供應商應用材料公司今天宣布推出Endura® Ventura™ PVD 系統。該系統沿襲了應用材料公司在業(yè)界領先的PVD技術，并融入了公司最新創(chuàng)新成果，能夠完成連續(xù)薄的阻擋層和種子層的硅通孔（TSV）沉積，幫助客戶以更低廉的成本制造出體積更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系統還與眾不同地采用鈦作為阻隔材料，從而在量產的情況下很好的實現降低成本的目的，展現了應用材料公司在精密材料工程領域的專業(yè)技術。Ventura系統的推出進一步完善了應用材料公司的硅片級封裝(WLP)設備產品線，適用于硅通孔、再分布層（RDL）和凸點等各類應用。

TSV是垂直制造體積更小、功耗更低的移動和高帶寬器件中的關鍵技術。通孔是垂直穿過硅片的短互聯通道，可將器件的有源側連接到硅片的背面，是多個芯片間連接的最短互連路徑。集成3D堆疊器件需要將10:1以上深寬比的TSV進行銅互連。利用創(chuàng)新的材料和先進的沉積技術，全新的Ventura設備可有效解決這一問題，從而較先前的行業(yè)解決方案能更顯著的降低TSV制造成本。

應用材料公司副總裁兼金屬沉積產品事業(yè)部總經理 Sundar Ramamurthy博士介紹道：“憑借應用材料公司在銅互連技術領域超過15年的領導經驗，Ventura 系統能生產出可靠的高深寬比硅通孔，與銅互連PVD系統相比，可使阻擋層和種子層成本降低多達50%。這些創(chuàng)新成果可以幫助我們更顯著的提高產品性能和功能，實現功耗更低、更緊湊的芯片封裝，從而進一步滿足最尖端的技術需求。該款全新的PVD系統已獲得客戶認可，并將逐步用于大規(guī)模生產中。”

Ventura系統采用更先進的離子化PVD技術，進一步提高阻擋層和種子層的完整性，這對芯片的孔隙填充和互連尤為重要，從而能夠有效提高3D芯片的良率。此外，這些技術上的新突破能夠顯著改善離子的方向性，可在硅通孔中完成均勻連續(xù)的薄的金屬層沉積，從而實現TSV所需的無空隙填充。由于方向性的改善，沉積速率得以大幅提高，阻擋層材料和種子層材料的用量顯著減少。此外，Ventura系統采用鈦作為阻擋層材料，以期提高設備穩(wěn)定性，降低TSV金屬化過程中的整體持有成本。

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*PVD = 物理氣相沉積
*凸塊下金屬化（Under Bump Metallization）= 用來連接模具基體