大型功率半導體廠商意法半導體公司3月宣布，將銷售采用新一代半導體元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金屬氧化物半導體型場效應晶體管）“SCT30N120”。新產品的工作溫度為200℃，達到業(yè)界最高水平，耐壓實現(xiàn)了1200伏。計劃用于光伏發(fā)電用功率調節(jié)器（PCS）等。

功率半導體元件采用SiC的優(yōu)點是，與以往的硅（Si）功率半導體元件相比，可降低能量損失。意法半導體稱，最少可降低50％。

此次的高耐壓SiC功率MOSFET將在光伏發(fā)電用PCS中取代以往的硅IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。其作用是將太陽能電池板發(fā)電的直流電轉換成高電壓的交流電。

與硅IGBT相比，其優(yōu)點包括無需使用專用驅動電路即可轉換；能以更高的頻率工作，可削減PCS功率單元內其他部件的尺寸。由此，可實現(xiàn)PCS功率單元的低成本化和小型化，還能提高轉換效率。

新產品目前正在樣品供貨，預定6月開始量產。采用為提高溫度特性而自主開發(fā)的HiP247封裝。批量購買1000個時的價格約為35美元。

日本國內外的廠商都在開發(fā)半導體元件采用SiC的功率半導體產品。今后，如果價格能降低，除了控制馬達的逆變器外，還有望得到光伏發(fā)電用PCS的全面采用。