有源矩陣顯示器國際會議“AM-FPD”的主要議題本來就是多晶硅（p-Si）相關(guān)技術(shù)。此次，柔性應(yīng)用以及采用微晶硅等令人感到時代潮流的成果發(fā)布相當(dāng)多。

力爭實現(xiàn)大面積化及柔性化的p-Si TFT

　　日本琉球大學(xué)與日立計算機設(shè)備（Hitachi Computer Peripherals）的研究小組，通過多模激光二極管使非晶硅（a-Si）實現(xiàn)了結(jié)晶化（論文編號5-3）。采用445nm工藝的CW（continuous wave）模式，掃描速度為500mm/秒，獲得了良好的微晶硅結(jié)晶。法國Rennes大學(xué)在180℃以下的工藝溫度下，制造出了p型及n型兩種微晶硅TFT（論文編號5-4）。不過，由于n型的開/關(guān)比達(dá)到大約6位數(shù)，而p型只有2位數(shù)左右，因此，恐怕很難直接用于CMOS電路。

　　日本廣島大學(xué)利用熱等離子體噴射技術(shù)試制了TFT（論文編號P-4）。由于裝置的結(jié)構(gòu)簡單、容易實現(xiàn)多噴嘴化，因此，熱等離子體噴射技術(shù)足以支持大型底板制造（圖1）。TFT的特性依賴于掃描速度，在350mm/秒時遷移率為12cm2/Vs，在400mm/秒時遷移率為5.4cm2/Vs。雖然1V/位數(shù)左右的S值稍微有點大，但誤差比較少，因此有可能被用作有機EL（有機EL）面板及2K×4K等級液晶面板的TFT底板。

 
圖1：熱等離子體噴射裝置及TFT的截面圖摘自會議論文集的論文編號P-4、p.118、Fig.1，獲得擁有著作權(quán)的AM-FPD許可后轉(zhuǎn)載。

　　在通過固相晶化法（Solid Phase Crystallization，SPC）實現(xiàn)了結(jié)晶化的p型p-Si TFT方面，韓國首爾國立大學(xué)（Seoul National University）通過對加氫條件進(jìn)行優(yōu)化，從而使特性及可靠性得到提高（論文編號P-9）。SPC的條件為，700℃下15分鐘。之所以首先試制了p型p-Si TFT，是為了在有源矩陣型有機EL（AM有機EL）用途中實現(xiàn)最簡單的“2晶體管＋1電容器”像素構(gòu)造。據(jù)開發(fā)方介紹，在這種SPC條件下，對玻璃沒有損害。在韓國，在有機EL用途及超高清晰液晶面板用途的TFT底板方面，嘗試用新一代TFT取代a-Si TFT的開發(fā)競爭異常激烈。該成果發(fā)正好滿足了這一需求（圖2）。

 
圖2：SPC-Si TFT的截面圖摘自會議論文集的論文編號P-9、p.138、Fig.1，獲得擁有著作權(quán)的AM-FPD許可后轉(zhuǎn)載。

同時補償TFT的特性誤差及有機EL的老化

　　在有機EL分組會上筆者最感興趣的是，韓國漢陽大學(xué)（Hanyang University）發(fā)布的、可同時補償TFT誤差及有機EL老化的電路及其驅(qū)動方法（論文編號7-4）。像素結(jié)構(gòu)為簡單的“3晶體管＋1電容器”，TFT誤差及有機EL老化均通過外部電路進(jìn)行了檢測（圖3）。TFT的誤差只要在出廠前檢測一次，基本上就沒必要再檢測。而對于有機EL的老化，舉例來說，應(yīng)在每次接通電源時都進(jìn)行檢測，以便修正補償數(shù)據(jù)（圖4）。整個屏幕的有機EL檢測所需時間均為600ms，具有足夠的實用性。（特約撰稿人：松枝 洋二郎=松枝咨詢）

 
圖3：補償電路的構(gòu)成摘自會議論文集的論文編號7-4、p.240、Fig.1，獲得擁有著作權(quán)的AM-FPD許可后轉(zhuǎn)載。

 
圖4：有機EL老化補償示例摘自會議論文集的論文編號7-4、p.242、Fig.6，獲得擁有著作權(quán)的AM-FPD許可后轉(zhuǎn)載。