筆者采訪了6月15～17日在京都舉行的半導(dǎo)體元件技術(shù)國際會議“2009 Symposium on VLSI Technology”（以下稱VLSI研討會）。由于聽聞不久前在美國舉行的顯示器展會“SID 2009”的大部分演講會場都出現(xiàn)了明顯的空座現(xiàn)象，筆者猜想到，VLSI研討會也許會發(fā)生類似的情況。

　　VLSI研討會開幕后，與會者人數(shù)的確少于往年，但會場仍與往年一樣充滿活力。筆者幾乎每年都報(bào)道VLSI，此次直到最后一天也“沒有感到乏味”。盡管開幕之前就報(bào)道了VLSI研討會與往屆的不同之處，但未感到乏味可能是由于以邏輯LSI為主的“新技術(shù)”的論文增加了的緣故。

　　就在2～3年前，大部分研討會還都以應(yīng)變硅及high-k/金屬柵極等最近的技術(shù)為對象，到了會議后半期就會“令人乏味”。而此次從Ge到III-V族半導(dǎo)體、石墨烯及Post-CMOS元件，可謂應(yīng)有盡有。是否能推出產(chǎn)品姑且不論，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)法挖掘產(chǎn)業(yè)潛力的態(tài)度可略見一斑。

　　在此次允許持有“自由想法”的研討會上，只有一場會議氣氛比較壓抑。那就是最后一天上午舉行的NAND型閃存相關(guān)會議（Session10A）。共發(fā)表了4篇論文，其中3篇來自于市場份額居首位的韓國三星電子（Samsung Electronics）（其中一篇與美國加利福尼亞大學(xué)聯(lián)名發(fā)表），另一篇則來自于該公司的競爭對手東芝，業(yè)界雙雄難以決出勝負(fù)。之所以用“氣氛壓抑”來形容，是因?yàn)楣P者感到，大多數(shù)NAND型閃存技術(shù)人員“完全看不清今后的技術(shù)發(fā)展趨勢”。

　　NAND型閃存在幾乎以一年半時(shí)間升級一代的速度實(shí)現(xiàn)微細(xì)化的同時(shí)，也在不斷接近微細(xì)化的極限。目前的現(xiàn)狀是，微細(xì)化會繼續(xù)進(jìn)行到什么程度，之后的技術(shù)方案是什么，“任何人都不是很清楚”（知名閃存廠商的技術(shù)人員）。三星的3篇論文充分考慮了這種情況。此次發(fā)表的技術(shù)都沿著三維方向重疊存儲單元，達(dá)到微細(xì)化極限之后仍能進(jìn)一步擴(kuò)大容量。每位演講者都極力強(qiáng)調(diào)，這些技術(shù)均比東芝在前一天舉行的重點(diǎn)會議（Session7）上發(fā)表的三維NAND型閃存技術(shù)具有優(yōu)勢。在臺下認(rèn)真傾聽的筆者也不禁興奮起來，覺得演講“十分有趣”。

　　筆者十分樂于報(bào)道半導(dǎo)體業(yè)界的信息，但08年發(fā)生雷曼事件以后，報(bào)道的都是令人心情沉重的新聞。這種情況下，在此次的VLSI研討會上，至少技術(shù)開發(fā)現(xiàn)場使筆者產(chǎn)生了積極的想法，“半導(dǎo)體技術(shù)人員還有很多工作要做，報(bào)道這些信息的媒體同樣有許多工作要做”。（記者：大下 淳一）