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美國《鈉還原法》太陽能級多晶硅新技術(shù)

   2009-06-23 ne21.com21世紀新能源14000

由于太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展和新增需求,當前國際上已經(jīng)形成了開發(fā)低成本、低能耗太陽能級多晶硅的熱潮。并趨向把生產(chǎn)高純度(6N)太陽能級多晶硅的工藝技術(shù)和生產(chǎn)更高純度(11N)電子級多晶硅的工藝技術(shù)區(qū)分開來,涌現(xiàn)出許多專門生產(chǎn)太陽能級多晶硅的新技術(shù),降低太陽能級多晶硅生產(chǎn)成本和電池成本,促進太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

美國斯坦福研究院獨辟蹊徑研究成功《鈉還原法》太陽能級多晶硅生產(chǎn)新技術(shù)。 該《鈉還原法》不同于現(xiàn)有常用的西門子法、硅烷法、硫化床法,也不同于冶金提純法,而是采用化學物理轉(zhuǎn)化法。

該《鈉還原法》的原料為氟硅酸鈉Na2SiF6,它是磷肥制作過程中的副產(chǎn)品,來源廉價和廣泛。氟硅酸鈉Na2SiF6經(jīng)過加熱轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆铓怏wSiF4及副產(chǎn)品氟化鈉NaF,該四氟化硅氣體SiF4通過高純金屬鈉Na即形成高純硅粉Si,然后制成多晶硅。其副產(chǎn)品氟化鈉NaF又是優(yōu)質(zhì)的化工原料,用于制鋁工業(yè)和牙膏生產(chǎn)。

該《鈉還原法》生產(chǎn)工藝簡單,副產(chǎn)品充分有效利用,生產(chǎn)成本和投資成本大幅度降低,而且無有毒氣體排放之憂,使該技術(shù)成為低成本太陽能級多晶硅生產(chǎn)的理想工藝,有望成為今后太陽能級硅的主流生產(chǎn)技術(shù),極大地促進太陽能光伏應用和發(fā)展。

該《鈉還原法》的工藝流程如下:

氟硅酸鈉(原料)

                    Na2SiF6    → SiF4 + 2NaF

                                 ↓

                                SiF4 + 4Na  → Si + 4NaF

                                                ↓     ↓

                                              多晶硅   氟化鈉

(產(chǎn)品) (副產(chǎn)品)

該《鈉還原法》的主要技術(shù)經(jīng)濟指標:

●硅粉純度:雜質(zhì)濃度 <0.02ppm (7N)

●單晶硅電阻率:>30 Ωcm  (典型太陽能級硅電阻率為~1Ωcm)

●太陽能電池效率:15+1%(AM1)

●目標硅生產(chǎn)成本:14 美元/千克

●投資成本:約為西門子法的1/3

該《鈉還原法》與其他工藝方法的比較:

西門子法 (熱絲反應器) 流化床法 (沸騰床) 硅冶金法 (UMG法) 鈉還原法 (斯坦福專利)
關(guān)鍵反應物 SiHxCl4-x SiHxCl4-x Mg-Si SiF4 + Na
投資成本($k/MT/yr) 90 45 30 19
電力(kWh/kg) 120+ 40 <10
生產(chǎn)成本($/kg) 38 27 26 14
反應器生產(chǎn)量(MT/yrSi/m3) 10.3 30 330
硅純度(ppm) <0.02 <0.02 1 <0.02

該《鈉還原法》已在某些國家和地區(qū)生產(chǎn), 是低成本太陽能級硅

 
標簽: 多晶硅
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