截至10月23日，南車時(shí)代公司自主研制的大功率IGBT產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)銷售達(dá)到6萬(wàn)只規(guī)模，受惠于當(dāng)前軌道交通新一輪市場(chǎng)回暖利好，目前公司的大功率IGBT封裝生產(chǎn)線已進(jìn)入滿負(fù)荷運(yùn)行狀態(tài)，公司引領(lǐng)國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)進(jìn)入快車道。

在國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策及中國(guó)鐵路總公司支持下，公司于2009年建成我國(guó)首條具有完全自主工藝開(kāi)發(fā)能力的IGBT封裝線，該封裝線主要生產(chǎn)技術(shù)要求等級(jí)最高的軌道交通領(lǐng)域用高壓IGBT。自當(dāng)年投產(chǎn)以來(lái)，公司自主研制開(kāi)發(fā)的800A/3300V、1600A/1700V、1200A/3300V 、1500A/3300V IGBT等多種型號(hào)的IGBT模塊陸續(xù)在國(guó)內(nèi)200余輛大功率電力機(jī)車、城市地鐵車輛上批量裝車、考核和應(yīng)用，在苛刻的機(jī)車運(yùn)營(yíng)環(huán)境下，公司生產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品性能穩(wěn)定可靠，部分產(chǎn)品安全運(yùn)營(yíng)最高里程超過(guò)百萬(wàn)公里，贏得了用戶的廣泛認(rèn)可。

IGBT中文名稱為絕緣柵雙極晶體管，是功率變換裝置的關(guān)鍵部件，也是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源裝備、船舶驅(qū)動(dòng)、航空航天等國(guó)計(jì)民生的重要領(lǐng)域，被業(yè)界譽(yù)為綠色經(jīng)濟(jì)的“核芯”。在軌道交通領(lǐng)域，IGBT被稱作牽引變流器的“CPU”，直接決定機(jī)車功率等級(jí)與操控的靈活性，是實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代機(jī)車車輛高速和重載十分重要的器件。

作為我國(guó)最早開(kāi)發(fā)大功率IGBT器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，公司通過(guò)“走出去、引進(jìn)來(lái)”和自主創(chuàng)新相結(jié)合的道路，走出了一條獨(dú)具特色的產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。2008年10月，公司首次跨出國(guó)門，成功收購(gòu)了具備IGBT設(shè)計(jì)與制造能力的加拿大丹尼克斯半導(dǎo)體公司75%的股權(quán)，從而實(shí)現(xiàn)與國(guó)內(nèi)已有功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互補(bǔ)，時(shí)隔一年之后，公司建成了我國(guó)首條具有完全自主工藝能力的IGBT產(chǎn)品封裝線，產(chǎn)品陸續(xù)投放軌道交通、高壓輸配電、新能源等多個(gè)領(lǐng)域。

與此同時(shí)，公司加快在IGBT技術(shù)體系中最為關(guān)鍵的芯片技術(shù)的研制。2010年，在英國(guó)成立功率半導(dǎo)體海外研發(fā)中心，聯(lián)合早先成立的國(guó)內(nèi)研發(fā)中心，組建了由丁榮軍院士領(lǐng)銜的上百名全球性研發(fā)團(tuán)隊(duì)，專注新一代IGBT芯片技術(shù)、新一代高功率密度IGBT模塊技術(shù)和下一代碳化硅功率器件技術(shù)等技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用，依靠國(guó)家重大科技專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”等政策的支持，公司逐漸掌握了電壓等級(jí)從1200伏到6500伏不等的IGBT芯片技術(shù)、模塊封裝及應(yīng)用測(cè)試技術(shù)。

2012年12月，公司自主研制的軌道交通用3300伏等級(jí)電壓IGBT芯片通過(guò)科技成果鑒定，這是由中國(guó)企業(yè)研制并成功批量裝車應(yīng)用的首款具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IGBT芯片，至此也讓中國(guó)南車成為目前國(guó)內(nèi)唯一一家自主掌握集IGBT芯片研發(fā)、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)用于一體的企業(yè)。

目前，由中國(guó)南車投資15億元，我國(guó)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目也進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，預(yù)計(jì)今年年底建成投入試運(yùn)行，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊的能力，該項(xiàng)目將完全打通芯片—模塊—裝置——系統(tǒng)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)中國(guó)南車在電力電子器件方面的技術(shù)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)整體競(jìng)爭(zhēng)力的全面提升，滿足并支撐我國(guó)軌道交通等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)Υ蠊β蔍GBT產(chǎn)品的強(qiáng)大市場(chǎng)需求。

作為現(xiàn)代工業(yè)體系中最基礎(chǔ)、最關(guān)鍵的部件之一，未來(lái)，電力電子器件有持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)的較大市場(chǎng)規(guī)模和空間。據(jù)IMS Research的統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)，2012年全球功率半導(dǎo)體分立器件和模塊的總市場(chǎng)容量為187億美元，預(yù)計(jì)每年維持8.3%的復(fù)合增長(zhǎng)率，到2016年將達(dá)到262億美元，其中大功率的分立器件和模塊（包括IGBT）的市場(chǎng)將達(dá)到110億美元。與此同時(shí)，伴隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)的持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展，軌道交通、輸配電、新能源、工業(yè)變頻等市場(chǎng)領(lǐng)域，對(duì)電力電子器件產(chǎn)品，尤其是大功率IGBT產(chǎn)品的需求空間巨大。