新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies（納斯達(dá)克：GTAT）今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開(kāi)始量產(chǎn)的客戶(hù)。

GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對(duì)更高品質(zhì)SiC材料的需求，這些材料將用于生產(chǎn)先進(jìn)的高功率及高頻設(shè)備。 SiClone100為我們的SiC產(chǎn)品藍(lán)圖奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，根據(jù)藍(lán)圖我們預(yù)計(jì)在未來(lái)向客戶(hù)提供可生產(chǎn)八英寸SiC芯片的完整生產(chǎn)環(huán)境，包括配方、熱場(chǎng)及耗材。”

GT利用其在晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域深入的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，為正在尋求“從實(shí)驗(yàn)室向工廠轉(zhuǎn)化”的客戶(hù)提供高度可靠及經(jīng)驗(yàn)證的平臺(tái)，幫助客戶(hù)開(kāi)始量產(chǎn)SiC晶體塊。 SiClone100爐裝備有最先進(jìn)的控制系統(tǒng)，通過(guò)將爐電子與人機(jī)界面（HMI）相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)過(guò)程的自動(dòng)化。 SiClone100采用底部灌裝設(shè)計(jì)，從而令熱場(chǎng)灌裝變得簡(jiǎn)單。 控制系統(tǒng)為用戶(hù)帶來(lái)更大的靈活性，用戶(hù)可根據(jù)需要制定過(guò)程配方及控制生產(chǎn)參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運(yùn)行的控制重復(fù)性，最終降低制造成本。 GT的現(xiàn)場(chǎng)工程師及支援團(tuán)隊(duì)將幫助客戶(hù)快速啟動(dòng)量產(chǎn)。

本公司繼續(xù)預(yù)計(jì)SiC爐的銷(xiāo)售情況將僅占其2013歷年收入的1%以下，并預(yù)計(jì)2014年及之后的SiC爐收入情況將會(huì)逐步好轉(zhuǎn)，原因是新電力設(shè)備有關(guān)的設(shè)計(jì)周期較長(zhǎng)。