瑞晶太陽(yáng)能工藝技術(shù)部 習(xí)冬勇
RENA Intex前清洗工序的目的
去除硅片表面的機(jī)械損傷層(來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷)
清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(zhì)(利用HCl)
形成起伏不平的絨面,增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收,增加PN結(jié)面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率
設(shè)備構(gòu)造
前清洗工藝步驟: 制絨→堿洗 →酸洗→吹干
RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽,此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。
Etch bath:刻蝕槽,用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3 ,作用:
1) 去除硅片表面的機(jī)械損傷層;
2) 形成無(wú)規(guī)則絨面。
Alkaline Rinse:堿洗槽 。 所用溶液為KOH,作用:
1) 對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗;
2) 中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。
Acidic Rinse:酸洗槽 。 所用溶液為HCl+HF,作用:
1) 中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液;
2) HF可去除硅片表面氧化層(SiO2),形成疏水表面,便于吹干;
3) HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力,可以用于去除硅片表面金屬離子。
前清洗工序工藝要求
片子表面7S控制
不容許用手摸片子的表片,要勤換手套,避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片
稱重
1) 每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè),不允許編造數(shù)據(jù),搞混批次等。
2) 要求每批測(cè)量1-2片。
3) 放測(cè)量片時(shí),把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道,下一批則放在2.4.6.8道,便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。
刻蝕槽液面的注意事項(xiàng):
正常情況下液面均處于黃綠色,如果一旦在生產(chǎn)過(guò)程中顏色改變,立即通知工藝人員。
RENA Intex前清洗工序的目的
去除硅片表面的機(jī)械損傷層(來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷)
清除表面油污(利用HF)和金屬雜質(zhì)(利用HCl)
形成起伏不平的絨面,增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收,增加PN結(jié)面積,提高短路電流(Isc),最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率
設(shè)備構(gòu)造
前清洗工藝步驟: 制絨→堿洗 →酸洗→吹干
RENA Intex前清洗設(shè)備的主體分為以下八個(gè)槽,此外還有滾輪、排風(fēng)系統(tǒng)、自動(dòng)及手動(dòng)補(bǔ)液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。
Etch bath:刻蝕槽,用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3 ,作用:
1) 去除硅片表面的機(jī)械損傷層;
2) 形成無(wú)規(guī)則絨面。
Alkaline Rinse:堿洗槽 。 所用溶液為KOH,作用:
1) 對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗;
2) 中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。
Acidic Rinse:酸洗槽 。 所用溶液為HCl+HF,作用:
1) 中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液;
2) HF可去除硅片表面氧化層(SiO2),形成疏水表面,便于吹干;
3) HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力,可以用于去除硅片表面金屬離子。
前清洗工序工藝要求
片子表面7S控制
不容許用手摸片子的表片,要勤換手套,避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片
稱重
1) 每批片子的腐蝕深度都要檢測(cè),不允許編造數(shù)據(jù),搞混批次等。
2) 要求每批測(cè)量1-2片。
3) 放測(cè)量片時(shí),把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道,下一批則放在2.4.6.8道,便于檢測(cè)設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。
刻蝕槽液面的注意事項(xiàng):
正常情況下液面均處于黃綠色,如果一旦在生產(chǎn)過(guò)程中顏色改變,立即通知工藝人員。