日立化成開發(fā)出了可蝕刻氮化硅（SiN）的漿料，并在第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展（nano tech 2013）上展出。只要利用絲網(wǎng)印刷工藝使該漿料成形，便可只去除漿料下面的SiN。日立化成的目標(biāo)是將這種漿料用于太陽(yáng)能電池及MEMS制造工序等。

在結(jié)晶硅型太陽(yáng)能電池的制造工序中，通常要在硅電池單元的受光側(cè)用SiN形成防反射膜。而且在該防反射膜上形成Ag電極后，還要進(jìn)行“Fire Through”加工，在數(shù)百℃下加熱，使Ag電極與硅電池單元接觸。

使用此次漿料的話，無需使用Fire Through這一高溫工藝即可實(shí)現(xiàn)Ag電極與硅電池單元的接觸。

在蝕刻工序中，首先利用絲網(wǎng)印刷工藝在想蝕刻的部位印刷漿料，然后在170℃下加熱5分鐘，這時(shí)漿料就會(huì)產(chǎn)生蝕刻劑，對(duì)漿料下面的SiN進(jìn)行蝕刻。蝕刻后只要用水清洗，即可去除漿料及其下面的SiN部分，獲得硅電池單元。最后，再在去除了SiN的部分形成Ag電極，這樣便可實(shí)現(xiàn)Ag電極和硅電池單元的接觸。

目前，這種漿料可形成的線幅為100μm左右，可蝕刻的SiN深度為100nm。日立化成今后將根據(jù)太陽(yáng)能電池廠商等的需求，以準(zhǔn)進(jìn)一步細(xì)線化等為目標(biāo)，繼續(xù)推進(jìn)開發(fā)。