京運(yùn)通承擔(dān)的“國家02專項(xiàng)”重大科技攻關(guān)項(xiàng)目“國產(chǎn)大尺寸區(qū)熔爐研制”項(xiàng)目近日取得重大技術(shù)進(jìn)展,并于2012年8月14日,通過了由中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)組織召開的“JQ-800型6英寸區(qū)熔單晶爐” 技術(shù)鑒定會(huì)。
鑒定委員會(huì)由7位專家組成,中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)孫洪濤秘書長擔(dān)任技術(shù)鑒定會(huì)主任委員,中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐秘書長擔(dān)任技術(shù)鑒定會(huì)副主任委員,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)陳賢秘書長、中國科學(xué)院電工研究所太陽電池技術(shù)研究室主任王文靜研究員、北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司事業(yè)部總經(jīng)理張建勇、北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司工業(yè)爐分公司副總經(jīng)理譚三成、中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所副總工程師張續(xù)業(yè)等專家任技術(shù)鑒定委員會(huì)委員。鑒定委員會(huì)認(rèn)為:京運(yùn)通公司提供的技術(shù)鑒定文件齊全、規(guī)范,符合鑒定要求;該設(shè)備結(jié)構(gòu)合理、性能優(yōu)越,攻克了重大共性關(guān)鍵技術(shù)之中機(jī)械部分的上、下軸高度同心技術(shù),上軸行程2000mm,下軸行程2600mm,可以拉制長度在2500mm以內(nèi)的單晶硅棒;同時(shí)在單晶生長棱線識(shí)別系統(tǒng)、高精密夾持技術(shù)、大直徑多晶硅棒原料熔化技術(shù)、區(qū)熔熱場設(shè)計(jì)等方面具有創(chuàng)新性。主要技術(shù)指標(biāo)滿足6英寸區(qū)熔單晶生長的要求。已申請專利 2 項(xiàng),其中發(fā)明專利1項(xiàng),形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6英寸區(qū)熔單晶爐的設(shè)備制造技術(shù),該設(shè)備的性能指標(biāo)達(dá)到了國產(chǎn)設(shè)備的領(lǐng)先水平;用該設(shè)備研發(fā)拉制了6英寸區(qū)熔單晶硅棒的工藝,并實(shí)現(xiàn)連續(xù)成功拉制。拉制的6英寸區(qū)熔單晶硅棒長度可達(dá)1.4米,等徑部分長度1.1米,重達(dá)52公斤,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。鑒定委員會(huì)同意通過該設(shè)備的技術(shù)鑒定。
國家02專項(xiàng)辦、北京市經(jīng)信委、北京市科委、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)等相關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)也出席了此次技術(shù)鑒定會(huì),并聽取了京運(yùn)通公司所作的研制總結(jié)報(bào)告,考察了生產(chǎn)現(xiàn)場。
區(qū)熔硅單晶較一般電子級(jí)單晶硅具有更高純度和更高電阻率,其產(chǎn)品銷售價(jià)格數(shù)倍于直拉單晶。在應(yīng)用領(lǐng)域上主要是用于IGBT器件、高壓整流器、大功率晶閘管,可控硅、電力電子器件、光敏二極管、射線探測器、紅外探測器以及國防建設(shè)、航天、航空和航海等尖端科技領(lǐng)域,對(duì)國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國防建設(shè)有著十分重要的作用,目前市場存在很大缺口,具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。高壓大功率IGBT功率器件的發(fā)展要求高質(zhì)量的單晶硅,對(duì)硅晶體中雜質(zhì)和缺陷的控制要求極高,因而,在將來相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi)6英寸及以上大直徑區(qū)熔單晶硅始終是制造IGBT器件的主要基礎(chǔ)材料。
無論是國際還是國內(nèi)區(qū)熔單晶硅發(fā)展形勢都非常好,但國內(nèi)的大直徑生產(chǎn)設(shè)備則全部是引進(jìn)國外的,國內(nèi)還沒有具備生產(chǎn)大直徑(5英寸以上)區(qū)熔單晶硅的設(shè)備的企業(yè)。 區(qū)熔單晶硅生長爐是生產(chǎn)區(qū)熔單晶硅片的關(guān)鍵設(shè)備之一,世界上生產(chǎn)和銷售區(qū)熔爐的廠家只有丹麥的TOPSOE等少數(shù)幾家公司,目前國內(nèi)設(shè)備保有量僅有十幾臺(tái),且大直徑的區(qū)熔硅單晶爐都是進(jìn)口,價(jià)格在2000萬元人民幣以上。而區(qū)熔單晶的制作工藝也需技術(shù)引進(jìn)。公司的JQ-800區(qū)熔單晶爐的成功研制,填補(bǔ)了國內(nèi)的這一項(xiàng)技術(shù)空白,具有劃時(shí)代的歷史意義。
由京運(yùn)通公司研制的國產(chǎn)大型區(qū)熔單晶爐于近日連續(xù)成功拉制出6英寸區(qū)熔單晶硅棒,拉制出的首根6英寸區(qū)熔單晶棒整根重量達(dá)52公斤,等徑長度1.1米,全長1.4米,這是大型區(qū)熔單晶硅爐研制的重大且可喜的進(jìn)步。同時(shí)公司研制的區(qū)熔單晶爐之前拉制出的5英寸區(qū)熔單晶硅棒經(jīng)第三方檢驗(yàn),結(jié)果顯示該5英寸區(qū)熔單晶硅棒品質(zhì)合格,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。5英寸區(qū)熔單晶硅棒的質(zhì)檢合格報(bào)告及6英寸區(qū)熔單晶硅棒的成功拉制,意味著我公司的區(qū)熔單晶硅爐研制項(xiàng)目取得了重大技術(shù)成果!這是國內(nèi)首次應(yīng)用國產(chǎn)設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)6英寸區(qū)熔單晶硅的工藝生產(chǎn),是國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備研制的重大突破,也是國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備的歷史性時(shí)刻,標(biāo)志著國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備真正打破了國外對(duì)5-6英寸區(qū)熔單晶生產(chǎn)設(shè)備的壟斷,是向大尺寸區(qū)熔單晶設(shè)備產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)的重大一步,更預(yù)示著國產(chǎn)高端設(shè)備的崛起。
鑒定委員會(huì)由7位專家組成,中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)孫洪濤秘書長擔(dān)任技術(shù)鑒定會(huì)主任委員,中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐秘書長擔(dān)任技術(shù)鑒定會(huì)副主任委員,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)陳賢秘書長、中國科學(xué)院電工研究所太陽電池技術(shù)研究室主任王文靜研究員、北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司事業(yè)部總經(jīng)理張建勇、北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司工業(yè)爐分公司副總經(jīng)理譚三成、中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所副總工程師張續(xù)業(yè)等專家任技術(shù)鑒定委員會(huì)委員。鑒定委員會(huì)認(rèn)為:京運(yùn)通公司提供的技術(shù)鑒定文件齊全、規(guī)范,符合鑒定要求;該設(shè)備結(jié)構(gòu)合理、性能優(yōu)越,攻克了重大共性關(guān)鍵技術(shù)之中機(jī)械部分的上、下軸高度同心技術(shù),上軸行程2000mm,下軸行程2600mm,可以拉制長度在2500mm以內(nèi)的單晶硅棒;同時(shí)在單晶生長棱線識(shí)別系統(tǒng)、高精密夾持技術(shù)、大直徑多晶硅棒原料熔化技術(shù)、區(qū)熔熱場設(shè)計(jì)等方面具有創(chuàng)新性。主要技術(shù)指標(biāo)滿足6英寸區(qū)熔單晶生長的要求。已申請專利 2 項(xiàng),其中發(fā)明專利1項(xiàng),形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6英寸區(qū)熔單晶爐的設(shè)備制造技術(shù),該設(shè)備的性能指標(biāo)達(dá)到了國產(chǎn)設(shè)備的領(lǐng)先水平;用該設(shè)備研發(fā)拉制了6英寸區(qū)熔單晶硅棒的工藝,并實(shí)現(xiàn)連續(xù)成功拉制。拉制的6英寸區(qū)熔單晶硅棒長度可達(dá)1.4米,等徑部分長度1.1米,重達(dá)52公斤,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。鑒定委員會(huì)同意通過該設(shè)備的技術(shù)鑒定。
國家02專項(xiàng)辦、北京市經(jīng)信委、北京市科委、北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)等相關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)也出席了此次技術(shù)鑒定會(huì),并聽取了京運(yùn)通公司所作的研制總結(jié)報(bào)告,考察了生產(chǎn)現(xiàn)場。
區(qū)熔硅單晶較一般電子級(jí)單晶硅具有更高純度和更高電阻率,其產(chǎn)品銷售價(jià)格數(shù)倍于直拉單晶。在應(yīng)用領(lǐng)域上主要是用于IGBT器件、高壓整流器、大功率晶閘管,可控硅、電力電子器件、光敏二極管、射線探測器、紅外探測器以及國防建設(shè)、航天、航空和航海等尖端科技領(lǐng)域,對(duì)國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國防建設(shè)有著十分重要的作用,目前市場存在很大缺口,具有非常廣闊的產(chǎn)業(yè)前景。高壓大功率IGBT功率器件的發(fā)展要求高質(zhì)量的單晶硅,對(duì)硅晶體中雜質(zhì)和缺陷的控制要求極高,因而,在將來相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi)6英寸及以上大直徑區(qū)熔單晶硅始終是制造IGBT器件的主要基礎(chǔ)材料。
無論是國際還是國內(nèi)區(qū)熔單晶硅發(fā)展形勢都非常好,但國內(nèi)的大直徑生產(chǎn)設(shè)備則全部是引進(jìn)國外的,國內(nèi)還沒有具備生產(chǎn)大直徑(5英寸以上)區(qū)熔單晶硅的設(shè)備的企業(yè)。 區(qū)熔單晶硅生長爐是生產(chǎn)區(qū)熔單晶硅片的關(guān)鍵設(shè)備之一,世界上生產(chǎn)和銷售區(qū)熔爐的廠家只有丹麥的TOPSOE等少數(shù)幾家公司,目前國內(nèi)設(shè)備保有量僅有十幾臺(tái),且大直徑的區(qū)熔硅單晶爐都是進(jìn)口,價(jià)格在2000萬元人民幣以上。而區(qū)熔單晶的制作工藝也需技術(shù)引進(jìn)。公司的JQ-800區(qū)熔單晶爐的成功研制,填補(bǔ)了國內(nèi)的這一項(xiàng)技術(shù)空白,具有劃時(shí)代的歷史意義。
由京運(yùn)通公司研制的國產(chǎn)大型區(qū)熔單晶爐于近日連續(xù)成功拉制出6英寸區(qū)熔單晶硅棒,拉制出的首根6英寸區(qū)熔單晶棒整根重量達(dá)52公斤,等徑長度1.1米,全長1.4米,這是大型區(qū)熔單晶硅爐研制的重大且可喜的進(jìn)步。同時(shí)公司研制的區(qū)熔單晶爐之前拉制出的5英寸區(qū)熔單晶硅棒經(jīng)第三方檢驗(yàn),結(jié)果顯示該5英寸區(qū)熔單晶硅棒品質(zhì)合格,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。5英寸區(qū)熔單晶硅棒的質(zhì)檢合格報(bào)告及6英寸區(qū)熔單晶硅棒的成功拉制,意味著我公司的區(qū)熔單晶硅爐研制項(xiàng)目取得了重大技術(shù)成果!這是國內(nèi)首次應(yīng)用國產(chǎn)設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)6英寸區(qū)熔單晶硅的工藝生產(chǎn),是國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備研制的重大突破,也是國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備的歷史性時(shí)刻,標(biāo)志著國產(chǎn)區(qū)熔設(shè)備真正打破了國外對(duì)5-6英寸區(qū)熔單晶生產(chǎn)設(shè)備的壟斷,是向大尺寸區(qū)熔單晶設(shè)備產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)的重大一步,更預(yù)示著國產(chǎn)高端設(shè)備的崛起。