瑞薩電子(Renesas Electronics)新發(fā)表十三款第七代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品，包括650伏特(V)的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導體裝置，適用于太陽能發(fā)電機與工業(yè)馬達的功率調(diào)節(jié)器(功率轉(zhuǎn)換器)等處理高電壓及大電流的設備。

第七代技術以強化薄型晶圓制程為基礎，權衡傳導、切換損耗及穩(wěn)定效能而達到低損耗，且提高短路耐受能力。相較于第六代技術的600V與1200V系列產(chǎn)品，第七代產(chǎn)品系列具有較高的額定電壓650V與1250V，能因應低操作溫升及過電壓耐受能力之需求。

瑞薩IGBT適用于馬達控制應用。在這些情況中，裝置的短路耐受能力，是設計上的關鍵參數(shù)。第七代IGBT系列具備10微秒(µs)額定短路耐受能力，因此可廣泛應用于馬達控制。

近年來，在環(huán)保與其他因素的考量下，促使高能源效率的電子設備需求增加，并持續(xù)推動太陽能與風力發(fā)電等潔凈能源，針對高電壓及大電流的設備也持續(xù)努力提升其能源效率，例如太陽能逆變器、噴水幫浦及大電流變頻器控制馬達。

為了大幅降低上述設備的直、交流轉(zhuǎn)換損耗，高效能的IGBT產(chǎn)品需求于是增加。但是這必須權衡其飽和電壓，這個參數(shù)是在大電流操作下達成低損耗以及高短路電流耐受能力的關鍵。以往無法兼得低損耗與高達約10微秒的短路耐受能力，為因應此需求，瑞薩開發(fā)出高效能IGBT。