砷化鎵磊晶廠全新為了在HBT磊晶、pHEMT磊晶等傳統(tǒng)砷化鎵材料應(yīng)用領(lǐng)域之外，再拓利基，開發(fā)出結(jié)合HBT、pHEMT特性的BiHEMT產(chǎn)品今年出貨量逐月放大，目前占全新累計營收比重約10%；另一方面，用于高聚光型太陽能(HCPV)的磊晶產(chǎn)品也在年中開始出貨，雖然今年占營收比重估不到5%，但隨著未來美國太陽能大廠采用HCPV技術(shù)趨勢成形，將成為全新長線成長動能來源。

全新在砷化鎵產(chǎn)業(yè)當中是最上游的磊晶廠，在全球市占率當中僅次于英商IQE，而光是IQE、全新、美商Kopin等3家廠商就占去全球砷化鎵磊晶約80%市場。全新產(chǎn)品原以用于生產(chǎn)PA(功率放大器)的HBT磊晶為最大宗，并小量生產(chǎn)pHEMT(主要用于生產(chǎn)高速switchIC)，不過隨著砷化鎵組件應(yīng)用面越加廣泛，全新也加速投入包括BiHEMT(異質(zhì)接面雙載子暨假晶高速電子移動晶體管)、太陽能磊晶等兩大塊新產(chǎn)品的開發(fā)，并已逐步取得成果。

原以HBT、pHEMT兩種材料結(jié)構(gòu)為主的砷化鎵組件，由于必須制成2個獨立的組件，在手機與平板計算機追求更加輕薄短小設(shè)計的此時，相對占去更多空間，而在過去HBT和pHEMT向來有因物理特性整合度不佳的問題，也拉高了砷化鎵組件進一步縮微的難度。

不過全新領(lǐng)先同業(yè)推出的BiHEMT磊晶，則可將HBT、pHEMT等不同制程的砷化鎵微波開關(guān)、功率放大器(PA)、偏壓電路與邏輯電路搭載在單一IC上，而包括Skyworks、TriQuint等砷化鎵射頻組件大廠，都已加速在4G產(chǎn)品導(dǎo)入BiHEMT晶圓制程，讓全新的BiHEMT出貨更有加速放大的趨勢。

以去年BiHEMT產(chǎn)品占全新營收僅約2%來看，到今年第一季已占約6%，今年6月后占單月營收則突破15%水平，出貨成長能量相當鮮明，預(yù)估全年可占營收約10%到12%比重。

除了持續(xù)生產(chǎn)射頻組件用的磊晶產(chǎn)品，全新也早在3年前就開始切入高聚光型太陽能(HCPV)磊晶產(chǎn)品的開發(fā)，近期透過與美國HCPV大廠進行項目合作，已開始有穩(wěn)定營收；據(jù)了解，全新的太陽能磊晶產(chǎn)品是出貨給臺系砷化鎵組件代工廠宏捷(8086)，6月開始出貨，初期量雖不大，但到第四季起就會有較明顯成長動能，到年底占全新單月營收比重可望達到約4%至5%，2012年隨著項目正式出量貢獻將更明顯。

以砷化鎵芯片搭配聚光透鏡的HCPV系統(tǒng)，單位發(fā)電效率約30%至40%，優(yōu)于硅晶太陽能的13%至21%，且長期產(chǎn)電成本也優(yōu)于硅晶結(jié)構(gòu)；根據(jù)美國HCPV廠Amonix(市占率約8成)的評估，HCPV是所有太陽能技術(shù)中，最有可能達到長期每度發(fā)電成本0.06至0.07美元目標的技術(shù)，單以美國市場來看，裝設(shè)中的HCPV電廠就有逾300MW(百萬瓦)，到2013年更將擴充到1GW(10億瓦)，長線需求看好。

全新今年前8月營收為15.33億元，較去年同期成長35.6%，而從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，用于生產(chǎn)PA的HBT磊晶占約75%為最大宗，微波開關(guān)用磊晶pHEMT產(chǎn)品占約10%，BiHEMT占約10%至12%，太陽能產(chǎn)品則約為3%。