經(jīng)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能研究所(FraunhoferISE)的認(rèn)證,Q-Cells打破了該公司自己保持的多晶硅太陽(yáng)能組件效率記錄。新的效率記錄從之前的17.8%上升為18.1%,公司稱這是多晶硅組件效率首次突破18%。
Q-CellsSE公司高級(jí)副總裁Peter?Wawer評(píng)論道:“我們?cè)诰w硅及銅銦鎵硒薄膜技術(shù)領(lǐng)域接連打破世界紀(jì)錄,這不僅體現(xiàn)了我們生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的決心,還證明了Q-Cells在太陽(yáng)能行業(yè)頂級(jí)制造商的地位。”
這款名為Q.ANTUM的電池技術(shù)采用了180µm厚的多晶硅片,金屬電極設(shè)在電池背表面,電池表面經(jīng)過(guò)了納米層鈍化。電池后表面涂有介電層,并配有局部點(diǎn)接觸電極。這一創(chuàng)新結(jié)構(gòu)可適用于各種級(jí)別、各種厚度的硅材料上。
2011年4月,Q-Cells公司曾使用Q.ANTUM技術(shù)制造出了效率高達(dá)19.5%的電池。
Q-CellsSE公司高級(jí)副總裁Peter?Wawer評(píng)論道:“我們?cè)诰w硅及銅銦鎵硒薄膜技術(shù)領(lǐng)域接連打破世界紀(jì)錄,這不僅體現(xiàn)了我們生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的決心,還證明了Q-Cells在太陽(yáng)能行業(yè)頂級(jí)制造商的地位。”
這款名為Q.ANTUM的電池技術(shù)采用了180µm厚的多晶硅片,金屬電極設(shè)在電池背表面,電池表面經(jīng)過(guò)了納米層鈍化。電池后表面涂有介電層,并配有局部點(diǎn)接觸電極。這一創(chuàng)新結(jié)構(gòu)可適用于各種級(jí)別、各種厚度的硅材料上。
2011年4月,Q-Cells公司曾使用Q.ANTUM技術(shù)制造出了效率高達(dá)19.5%的電池。