德國 WETTENBERG 2011年6月16日電 /美通社亞洲/ -- PVA TePla AG - 位于德國 Wettenberg 的硅晶體生長設(shè)備及高溫真空設(shè)備制造商，近日將正式推出其最新研發(fā)并具備更大加料量的第五代多晶硅鑄錠設(shè)備（G5）。該新型產(chǎn)品被命名為 MultiCrystallizer VGF732Si HC。

Multi Crystallizer 是一種采用定向凝固法（基于垂直梯度定向凝固的生產(chǎn)工藝）制備多晶硅錠的設(shè)備，由該設(shè)備生產(chǎn)的硅鑄錠被進(jìn)一步加工生產(chǎn)后，用于制取光伏產(chǎn)業(yè)所必需的多晶硅片。

新型 HC 設(shè)備，通過使用較高 G5 的坩堝（G5：坩堝高度 480-520mm；舊標(biāo)準(zhǔn)：420mm）從而得以實(shí)現(xiàn)最大560公斤的高裝料量。

該型設(shè)備具備獨(dú)特的熱場溫控系統(tǒng)，通過熱區(qū)卓越的溫度均勻性，使得鑄錠直至外表面都可以實(shí)現(xiàn)柱狀凝固，為理想的高鑄錠工藝創(chuàng)造了完美的條件，本機(jī)生產(chǎn)的高鑄錠具備與之前由 420mm 坩堝制備的硅錠相同的晶體質(zhì)量水平。從該硅錠中生產(chǎn)出的硅片電池效率較行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)平均高出0.4個(gè)百分點(diǎn)，并且硅錠良品率達(dá)到了75%（硅錠可用重量相對于硅錠總重量）。

通過較高的裝料量，可在 480mm 坩堝內(nèi)得到最佳高度 250mm 的硅塊，該有效高度值意味著硅片切割的最高利用率，并且由此為客戶帶來經(jīng)濟(jì)效益的顯著提高。

此外鑒于 MultiCrystallizer VGF732Si HC 設(shè)備的獨(dú)立加熱和冷卻方式，該設(shè)備同樣特別適用于準(zhǔn)單晶制備工藝。晶體生長工藝中穩(wěn)定的結(jié)晶面可避免故障的發(fā)生，并且有助于獲得最佳的準(zhǔn)單晶結(jié)構(gòu)。

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