當(dāng)去年Microsemi(美高森美)收購(gòu)Actel(愛(ài)特)之時(shí)，業(yè)界普遍關(guān)注的是二者在安全與國(guó)防上的交集，很多人不知道的是，合并后二者第二大業(yè)務(wù)領(lǐng)域是工業(yè)。如今，Microsemi憑借四條完整的產(chǎn)品線(分立器件、模擬與RF/ICS、SoCs以及子系統(tǒng))全面高調(diào)進(jìn)軍工業(yè)領(lǐng)域。

Microsemi第一步的選擇是進(jìn)入太陽(yáng)能領(lǐng)域，這個(gè)出發(fā)點(diǎn)相當(dāng)正確，根據(jù)IMS Research的預(yù)計(jì)，截至2016年能源市場(chǎng)的年化增長(zhǎng)率將達(dá)到13.7%，是工業(yè)領(lǐng)域增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)。Microsemi的四條產(chǎn)品線恰好能覆蓋太陽(yáng)能技術(shù)，具體如下：

太陽(yáng)能旁路二極管用于獲取電能

LX2400 IDEAL™太陽(yáng)能旁路器件采用Microsemi專利CoolRUN™技術(shù)，在光伏模塊應(yīng)用中提供一個(gè)旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降，可在工作期間實(shí)現(xiàn)極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級(jí)最佳的可靠性和穩(wěn)健性，用于需要經(jīng)由模塊接線盒獲得10A或更高電流的應(yīng)用。

Microsemi新型肖特基勢(shì)壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款，其厚度僅為0.74 mm，可讓客戶將其集成在玻璃下面，省去接線盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專為太陽(yáng)能面板而設(shè)計(jì)的，采用獨(dú)特的靈活的銅質(zhì)引腳，具有經(jīng)過(guò)衛(wèi)星應(yīng)用驗(yàn)證的高可靠性。

Microsemi除了提供上述的獨(dú)特封裝之外，還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管，其標(biāo)準(zhǔn)電流范圍是10A至18A，電壓范圍為20 V至45 V，并同時(shí)提供設(shè)計(jì)和構(gòu)建選項(xiàng)，提供電流高達(dá)60 A和電壓高達(dá)200V的定制器件。

SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

Microsemi SmartFusion混合信號(hào)FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術(shù)的架構(gòu)，是幫助逆變器設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)效率最大化，以及在較小的占位面積中集成板級(jí)功能的理想選擇。功能和算法包括更多數(shù)量的PWM狀態(tài)機(jī)，最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)和功率因數(shù)校正(PFC)等，可在嵌入式32位ARM® Cortex™-M3或邏輯門之內(nèi)進(jìn)行劃分，以適合各種設(shè)計(jì)需求。Microsemi夏明威表示，使用低功耗FPGA，相比較DSP而言，使用的是硬件編程，因此功耗更低，性能也有相應(yīng)的提高，并且更可靠。

IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉(zhuǎn)換器用于功率監(jiān)控

新型600 V CoolMOS™ C6器件采用第五代高電壓超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)具有更高效率和功率密度水平的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

由于傳導(dǎo)損耗則在總體系統(tǒng)損耗方面占據(jù)主導(dǎo)地位，新型MOS 8™ IGBT已經(jīng)針對(duì)低工作頻率(10 KHz — 30 KHz)而優(yōu)化。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品系列則在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低傳導(dǎo)損耗特性。

Microsemi除了提供具有多種功率模塊電氣和機(jī)械配置的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品之外，還提供IGBT、MOSFET和FRED，推動(dòng)實(shí)現(xiàn)更高效的新型轉(zhuǎn)換器拓?fù)洌缛?jí)逆變器、交錯(cuò)式PFC升壓轉(zhuǎn)換器及矩陣轉(zhuǎn)換器。并且，IGBT等模塊還可以進(jìn)行定制化的封裝。

此外，Microsemi不斷擴(kuò)大的DC/DC產(chǎn)品系列支持高達(dá)40V的輸入電壓，以及最高40A的廣泛輸出電流范圍。該系列器件包括內(nèi)置功率FET的開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器，以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz頻率下運(yùn)作的控制器。

FPGA用于功率監(jiān)控

SmartFusion智能混合信號(hào)FPGA在單一IC平臺(tái)上集成了模擬前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器和可編程邏輯資源。這一靈活性為設(shè)計(jì)人員提供了開(kāi)發(fā)低功耗的可適配平臺(tái)的能力，能夠精確地監(jiān)控實(shí)時(shí)負(fù)載數(shù)據(jù)，同時(shí)滿足多種安全連接性協(xié)議的要求，畢竟現(xiàn)階段，通信標(biāo)準(zhǔn)尚未確定，因此使用更靈活的FPGA可以有效地避免此類問(wèn)題。

夏明威表示，除了太陽(yáng)能之外，由于產(chǎn)品采用了FPGA可配置器件，因此該套方案完全可移植至其他新能源產(chǎn)品應(yīng)用上，并且也為此推出了全面的參考設(shè)計(jì)方案。另外，他透露Microsemi也在準(zhǔn)備將全面產(chǎn)品線拓展至馬達(dá)控制等市場(chǎng)應(yīng)用中。