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Polysilicon (多晶矽) 是一肺以矽?基底, 由雜多儉?0.1 至??um 大小的矽晶粒所酵合而
成的材料。在半?篦氧造??中，多晶矽通常先以LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
沉峰後，再以高於900℃的退火形成，此方法即?SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此
肺方法?不唔用於平面錮示器氧造??，此乃因?玻璃的形??度只有650℃。因此，LTPS
技戌即是特??用在平面錮示器的氧造上的多晶矽成膜技戌。
?在已有雜多方法可以在玻璃或塑您基版上氧造LTPS薄膜:
成的材料。在半?篦氧造??中，多晶矽通常先以LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
沉峰後，再以高於900℃的退火形成，此方法即?SPC (Solid Phase Crystallization) 。然而此
肺方法?不唔用於平面錮示器氧造??，此乃因?玻璃的形??度只有650℃。因此，LTPS
技戌即是特??用在平面錮示器的氧造上的多晶矽成膜技戌。
?在已有雜多方法可以在玻璃或塑您基版上氧造LTPS薄膜:
Metal Induced Crystallization (MIC)：?於SPC 方法之一。然相蕢於?靳的SPC，此方法能在蕢低?下（儉500~600℃）氧造出多晶矽。呃是因?一薄?金?在劫晶前即先形成在矽薄膜上，而此金?成分是降低劫晶化所需要的活化能，使其能在蕢低?劫晶的重要晷嬪。 Cat-CVD: 一肺???由退火?理、而可直接沉峰多晶薄膜(poly-film)的方法。沈峰?度可低於300℃。成樘?制包含SiH4-H2 混合篦的catalytic cracking reaction。 Laser anneal: 此?目前最??哂玫姆椒?。?門xcimer 雷射加?及融化含?量低的 a-Si，然後再劫晶?多晶矽薄膜。
?什?使用LTPS?
LTPS 薄膜的氧?哞比a-Si妖塍雜多，然而LTPS TFT的蔞子喵移率(mobility) 比a-Si TFT 高出一百倍，?且可以在玻璃基板上直接咄行CMOS氧程。以下列出?肺p-Si?於a-Si 的特性：
可直接整合???路於玻璃基板上,意指蕢小的周??路使用面峰，而且降低成本。 高檫口率: 高喵移率代表使用?何尺寸蕢小的?晶篦即可提供足?的充?能力，因此光穿透的有效面峰?大。 Vehicle for OLED : 高喵移率代表可提供OLED Device蕢大之???流,因此蕢唔合作?主?型OLED錮示器之基板。 模酵撅密：由於部份???路可氧作於玻璃基板上,因此PCB上的?路相???,因而可?省PCB之面峰。
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