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——為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片等應(yīng)用提供高性價(jià)比的刻蝕解決方案
2021年3月16日——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。
中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®
基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。
憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類設(shè)備相比，Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì)，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
中微公司的Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前，首臺(tái)Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估。Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。
“現(xiàn)在的制造商對(duì)于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標(biāo)是為客戶提供技術(shù)創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價(jià)比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團(tuán)副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現(xiàn)出卓越的性能。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價(jià)比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題，同時(shí)最大程度地提升了其投資效益。”
2021年3月16日——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）在SEMICON China 2021期間正式發(fā)布了新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。
中微公司雙反應(yīng)臺(tái)電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®
基于中微公司業(yè)已成熟的單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。
憑借這些優(yōu)異的性能和其他特性，與其他同類設(shè)備相比，Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進(jìn)行ICP適用的邏輯和存儲(chǔ)芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺(tái)機(jī)Primo nanova®相同或相似的設(shè)計(jì)，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺(tái)反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。
中微公司的Primo Twin-Star®刻蝕設(shè)備已收到來(lái)自國(guó)內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前，首臺(tái)Primo Twin-Star®設(shè)備已交付客戶投入生產(chǎn)，良率穩(wěn)定。公司還在進(jìn)行用于不同刻蝕應(yīng)用的多項(xiàng)評(píng)估。Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。
“現(xiàn)在的制造商對(duì)于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標(biāo)是為客戶提供技術(shù)創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價(jià)比的ICP刻蝕解決方案。”中微公司集團(tuán)副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品事業(yè)總部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現(xiàn)出卓越的性能。通過(guò)提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價(jià)比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題，同時(shí)最大程度地提升了其投資效益。”
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