三洋電機(jī)首次公開了在薄膜硅型太陽能電池的部分制造工序中采用涂布工藝的成果。由于可減少真空工藝，因此有望降低制造成本。該公司還公開了使用1.1m×1.4m底板時(shí)，穩(wěn)定化前的轉(zhuǎn)換效率為10.4％的結(jié)果。

　　利用涂布工藝成膜的是ITO、Ag和硅，使用大日本網(wǎng)屏的線性涂布機(jī)（Line Coater）涂布三菱材料的納米油墨后加熱形成。非晶硅型膜和微晶硅膜與原來一樣仍采用真空工藝。

　　組合使用涂布工藝在1.1m×1.4m底板上形成串聯(lián)構(gòu)造薄膜硅型太陽能電池時(shí)，穩(wěn)定化前的轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了10.4％。Isc（短路電流）為1.40A，Voc（開放電壓）為160.7V，F(xiàn)F（填充因子）為71.2％。