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各類晶硅電池的效率上限誰最高?影響因素是什么?

   2020-06-09 摩爾光伏23600
核心提示:近期,晶科、隆基、天合、晶澳、東方日升等企業(yè),不斷發(fā)布新款組件,新品的最高功率甚至達(dá)到600W!光伏行業(yè)對技術(shù)進(jìn)步的追求從未
近期,晶科、隆基、天合、晶澳、東方日升等企業(yè),不斷發(fā)布新款組件,新品的最高功率甚至達(dá)到600W!

光伏行業(yè)對技術(shù)進(jìn)步的追求從未止步,光伏組件的轉(zhuǎn)換效率日新月異!然而,晶硅組件的理論最高效率到底是多少?

晶體硅太陽能電池理論極限效率:29.43%;

普通單晶硅電池理想條件下最高效率為24.5%;HJT電池理想條件下最高效率為27.5%;TOPCon電池具有更加高的效率上限,28.2%~28.7%。

僅供參考

晶硅電池轉(zhuǎn)換效率的理論上限?

1954年貝爾實(shí)驗(yàn)室的CHAPIN等三人發(fā)表了第一篇關(guān)于硅太陽電池的文章,在這篇文章中就已指出有反射、復(fù)合、電阻三方面的因素使電池的效率低于某個(gè)上限。

早在1961年,William Shockley等人根據(jù)細(xì)致平衡原理在只考慮輻射復(fù)合作為電子-空穴對唯一的復(fù)合機(jī)制的理想情況下,通過計(jì)算得出p-n結(jié)太陽能電池的效率極限為30%。

利用新南威爾士大學(xué)光伏與可再生能源工程學(xué)院免費(fèi)發(fā)布的一維太陽電池計(jì)算模擬軟件PC1D計(jì)算,輸入完全理想條件得到地面標(biāo)準(zhǔn)太陽光(AM1.5G)照射條件下,溫度為25 ℃時(shí),晶體硅電池理想條件下效率為26.8%。

德國ISFH在2019年Silicon PV的報(bào)告會(huì)上基于載流子選擇性的概念從理論上對不同結(jié)構(gòu)太陽能電池的理論效率極限做了細(xì)致的分析,結(jié)論是鈍化接觸電池(例如TOPCon電池)具有更加高的效率極限(28.2%~28.7%),高于HJT的27.5%極限效率,同時(shí)也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PERC電池(24.5%),TOPCon電池最接近晶體硅太陽能電池理論極限效率(29.43%)。

各類太陽能電池最新進(jìn)展


效率公式


式中Pin是太陽電池整個(gè)面積的總輸入光功率.對于陸地上的應(yīng)用, 標(biāo)準(zhǔn)測試條件是: 一個(gè)太陽,AM1.5G, 1000W/m2(或100mW/cm2), 25 ℃。

因此,太陽電池的三個(gè)參數(shù)Voc,Isc和FF就能確定太陽電池的效率。為了獲得高的效率,這三個(gè)參數(shù)應(yīng)該盡可能高。

(a)為了獲得高的開路電壓Voc,電池必須有低的正向暗電流I0,高的并聯(lián)電阻Rsh。

(b)為了獲得高的光電流(短路電流Isc),電池材料和結(jié)構(gòu)應(yīng)該在紫光,可見光和近紅外光譜范圍有高的,寬的和平坦的光譜響應(yīng),內(nèi)量子效率接近于1。

(c)為了獲得高的填充因子FF,電池必須有低的正向暗電流I0,理想因子“n”接近于1,串聯(lián)電阻必須低(<1Ω),并聯(lián)電阻Rsh必須大(> 102Ω·cm2)。

開路電壓Voc


式中, I0是無光照時(shí)電池的反向飽和電流;q是電子電荷;k是玻爾茲曼常數(shù);T是絕對溫度;n是二極管理想因子。

影響因素

材料-光伏有源材料:電阻率ρ,少子壽命τ,其它雜質(zhì)等。表面發(fā)射極摻雜層;背面電場;漏電流-反向飽和電流I0;理想因子n;并聯(lián)電阻Rsh;鈍化技術(shù)-電池材料的表面和內(nèi)部的鈍化。

短路電流Isc

短路電流Isc:理想狀態(tài)下,應(yīng)等于光生電流IL,即 Isc=IL。

影響因素

絨面結(jié)構(gòu)正面減反射膜;表面發(fā)射極摻雜層-高或低的磷濃度;減少遮光損失;串連電阻Rs;背面反射;鈍化技術(shù)-電池材料的表面和內(nèi)部的鈍化。

填充因子FF


影響因素

表面發(fā)射極摻雜層-高或低的磷濃度;去除周邊pn結(jié)和去磷硅玻璃;串連電阻Rs(電極接觸、金屬指條寬度和縱橫比大小);正面減反射膜;金屬電極接觸的烘烤、燒結(jié);并聯(lián)電阻Rsh。

為了提高絲網(wǎng)印刷(SP)填充因子FF,必須解決下列問題:(1)金屬電極接觸的燒結(jié)對總串連電阻Rs(特別是對rc)的影響;(2)金屬電極接觸的燒結(jié)對pn結(jié)質(zhì)量(并聯(lián)電阻Rsh和J02)的影響。

 
 
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