近日，記者從樂山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所獲悉，根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2020年推薦性標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃(修訂)的通知》，該所被正式確定為國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光法》的主修訂單位。

多晶硅中的III、V族雜質(zhì)含量(施主雜質(zhì)含量、受主雜質(zhì)含量)是影響多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的重要技術(shù)指標(biāo)，目前一般通過氣氛區(qū)熔工藝將多晶硅拉制成單晶，再采用低溫傅立葉變換紅外光譜法(LTFT-IR)測定III、V族雜質(zhì)含量。為確保硅晶體中的III、V族雜質(zhì)含量的測量準(zhǔn)確性，原有標(biāo)準(zhǔn)GB/T 24581-2009已經(jīng)不能充分適應(yīng)目前半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的需要，有必要對原標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂。

市質(zhì)檢所作為全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會和材料分技術(shù)委員會成員單位，長期以來高度重視標(biāo)準(zhǔn)化工作，主持和參與多項(xiàng)硅材料相關(guān)國家標(biāo)準(zhǔn)的研究。據(jù)悉，本次標(biāo)準(zhǔn)修訂將結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)際使用情況對原標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行適當(dāng)修改，同時增加多個實(shí)驗(yàn)室的測量精密度，使GB/T 24581更為完善，從而更好地滿足半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，助推我市加速壯大光伏產(chǎn)業(yè)集群、打造千億“綠色硅谷”。