比利時研究機構(gòu)IMEC于2010年7月13日宣布，通過采用外延生長制作的20μm厚結(jié)晶硅太陽能電池，實現(xiàn)了16.3％的單元轉(zhuǎn)換效率。單元面積比較大，為70cm2。IMEC介紹說該單元目前正在美國舊金山市舉行的半導(dǎo)體展會“Semicon West 2010”（2010年7月12～16日）上展示。

　　IMEC正在IMEC Industrial Affiliation Program（IIAP）這一開發(fā)項目中，開發(fā)兩種新一代結(jié)晶硅太陽能電池（參閱本站報道）。一種是從鑄錠上切割結(jié)晶硅晶圓后使用的整體型。另一種是通過外延生長在底板上形成結(jié)晶硅的型號。后者的特點是：雖然也在底板上采用了多晶硅晶圓，但晶圓質(zhì)量不高也可使用，而且厚度大幅薄于整體型。

　　此次開發(fā)的單元制造工藝概要如下。首先，在底板上形成由多孔硅構(gòu)成的光密封專用布拉格反射層。然后，通過CVD（化學(xué)氣相沉積）法，按照p型BSF（Back Surface Field）、p型層以及n型層的順序來層疊半導(dǎo)體層。最后，在表面進(jìn)行等離子處理，形成用于光密封的凹凸。

　　IMEC在同樣采用外延生長的同時，制作出了部材不同的兩種單元。一種是采用高質(zhì)量結(jié)晶硅底板，在電極中采用銅（Cu）布線的單元。另一種是采用通過名為UMG（Upgraded Metallurgic Grade）的冶金工藝制造的質(zhì)量稍低的結(jié)晶硅晶圓，通過絲網(wǎng)印刷形成布線圖案的單元。16.3％的轉(zhuǎn)換效率是通過采用高質(zhì)量結(jié)晶硅底板實現(xiàn)的。采用UMG硅晶圓的單元的轉(zhuǎn)換效率為14.7％。IMEC的能源及太陽能業(yè)務(wù)總監(jiān)Jef Poortmans表示，“如果用銅來封裝布線圖案，那么即便是采用低質(zhì)量底板的單元，也可以將轉(zhuǎn)換效率提高至可與現(xiàn)有結(jié)晶硅太陽能電池相競爭的水平”。（記者：野澤 哲生）

 
轉(zhuǎn)換效率為16.3％的單元。采用了高質(zhì)量結(jié)晶硅底板和銅布線。

 
轉(zhuǎn)換效率為14.7％的單元。采用了低質(zhì)量結(jié)晶硅底板，以及通過絲網(wǎng)印刷形成的布線。