5．新技術(shù)探索

   為了提高非晶硅太陽(yáng)電池的初始效率和光照條件下的穩(wěn)定性，人們探索了許多新的材料恰工藝。比較重要的新工藝有：化學(xué)退火法、脈沖虱燈光照法、氫稀釋法、交替淀積與氫衛(wèi)法、摻氟、本征層摻痕量硼法、等。此外，為了提高a-Si薄膜材料的摻硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作摻雜源氣。為了獲得a-Si膜的高淀積速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源氣。

   所謂化學(xué)退火，就是在一層一層生長(zhǎng)a一Si薄膜的間隔，用原子氫或激活的Ar、He原子來(lái)處理薄膜，使表面結(jié)構(gòu)弛豫，從而減少缺陷和過(guò)多的氫，在保證低隙態(tài)密度的同時(shí)，降低做衰退效應(yīng)，這里，化學(xué)處理粒子是用附加的設(shè)備產(chǎn)生的。

   氫稀釋法則采用大量（數(shù)十倍）氫稀釋硅炕作源氣淀積a-Si合金薄膜，實(shí)際上，一邊米薄膜一邊對(duì)薄膜表面作氫處理，原理一樣，方法更簡(jiǎn)單，效果基本相當(dāng)。

    交替淀積與氫處理則是：重復(fù)進(jìn)行交替的薄膜淀積與氫等離子體處理。這是上述兩種方以結(jié)合。脈沖氖燈光照法是在一層一層生長(zhǎng)a-Si薄膜的問(wèn)隔，周期地用脈沖氖燈光照處嘟膜表面，穩(wěn)定性有顯著提高。在制備a-Si的源氣中加入適量的四氟化硅就可實(shí)現(xiàn)a-Si以．摻氟使畦網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。本征8si呈弱N型，摻入痕量硼可將費(fèi)來(lái)能級(jí)移向帶隙中央，既可提高光靈敏度又可減少先致衰退。

     6．新制備技術(shù)探索

   射頻等離子體強(qiáng)CVD是當(dāng)今普遍采用的制備a一Sl合金薄膜的方法。它的主要優(yōu)，權(quán)是：可以用較低的襯底溫度（200℃左右），可以重復(fù)制各大面積均勻的薄膜，制得的氫化a-Si合金薄膜無(wú)結(jié)構(gòu)缺陷、臺(tái)階復(fù)益良好，隙態(tài)密度低，光電子特性符合大面積太陽(yáng)電池的要求。此法的主要缺點(diǎn)也是致命的缺點(diǎn)是，制備的a-Si膜含氫量高，通常有的10％-5％氫含量。光致衰退比較嚴(yán)重。因此，人們一方面運(yùn)用這一方法實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；a(chǎn)；另一方面又不斷努力探索新的制備技術(shù)。

   與RF-PECVD最近鄰的技術(shù)有，超高真空PECVD技術(shù)，甚高頻（VHF ） PECVD技術(shù)和微波（包括ECR） PECVD技術(shù)。激發(fā)等離子體的電磁波光子能量不同，則氣體分解粒子的能量不同，粒子生存壽命不同，薄膜的生成及對(duì)膜表面的處理機(jī)制不同，生成膜的結(jié)構(gòu)、電子特性及穩(wěn)定性就會(huì)有區(qū)別。 yHF和微波PECVD在微晶硅的制備上有一定的優(yōu)勢(shì)。

   其它主要其新技術(shù)還有，離子束淀積a一si薄膜技術(shù)，H0M0一CVD技術(shù)和熱絲CVD技術(shù)等。離子束淀積a-Si合金薄膜時(shí)，包括硅烷在內(nèi)的反應(yīng)氣體先在離化室離化分解，然后形成離子束，淀積到襯底上，形成結(jié)構(gòu)絞穩(wěn)定的a一Sl合金薄膜。 H0M0一CVD技術(shù)通過(guò)bo熱氣體，儀之熱分解，分解粒子再淀積在襯底上。成膜的先級(jí)粗子壽命校長(zhǎng)，膜的電子性能良好，氫含量低，穩(wěn)定性較好。這兩種技術(shù)成膜質(zhì)量雖好，但難以形成產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。熱絲CVD技術(shù)也是較有希望的優(yōu)質(zhì)薄膜硅的高速制備技術(shù)。