6月4日，第十三屆SNEC大會召開光伏科學家大會。保利協(xié)鑫首席技術官萬躍鵬博士受邀作《Casting Mono Wafers for Higher Cost Performance》主旨報告。萬躍鵬指出，保利協(xié)鑫鑄錠單晶硅片（鑫單晶）通過8年的技術研發(fā)，已經(jīng)成為市場上被接受的有競爭力的產(chǎn)品，市場占有率正在快速提升。 電站成本結(jié)構(gòu)決定了不同類型組件的性價比，提升電池轉(zhuǎn)換效率是提升鑄錠技術在更多應用場景性價比的最重要的選擇，而鑄錠單晶的發(fā)展是必由之路。萬躍鵬博士認為，保利協(xié)鑫鑫單晶產(chǎn)品經(jīng)過多年技術升級，已經(jīng)具備以下四大優(yōu)勢：一是更低氧含量、更低光衰，鑫單晶氧含量<6ppm，直拉單晶硅片為12-13ppm，鑫單晶適合N型高溫電池工藝；二是更窄電阻率分布，有利于PERC電池效率優(yōu)化，適合做摻鎵P型、摻磷N型硅片；三是方片無倒角，適用于疊片、拼片等新組件，外觀更好；四是碳足跡更低，比直拉單晶每公斤電耗低20多度，轉(zhuǎn)換成每瓦少耗電0.06度。碳足跡在很多海外市場是重要的指標。綜上因素，“鑫單晶G3”PERC電池量產(chǎn)效率和組件輸出功率與直拉單晶基本相同，如考慮光衰方面優(yōu)勢，和直拉單晶組件實現(xiàn)同瓦輸出，同時有1美分/瓦的利潤空間。

鑄錠單晶產(chǎn)品從2011年規(guī)?；瘧瞄_始，已經(jīng)有約1-2GW的電站應用。萬躍鵬博士指出，對于發(fā)電穩(wěn)定性來說，法國電力一直使用法國Photowatt的鑄錠單晶組件，也有幾百兆瓦應用，沒有任何關于鑄錠單晶產(chǎn)品在發(fā)電端的問題報道。協(xié)鑫位于陜西、寧夏、安徽三地的實證電站數(shù)據(jù)顯示，鑫單晶發(fā)電非常穩(wěn)定，與相對應其它類型組件相當或略好。

對于未來鑄錠單晶技術的發(fā)展?jié)摿?，萬躍鵬博士認為，鑄錠硅片產(chǎn)品通過鑄錠形核技術的提升、摻雜技術的應用、電阻率的控制，氧含量降低等，可以不斷提升硅片性能；通過穩(wěn)定生產(chǎn)工藝、推廣籽晶的低成本化技術，可以進一步降低成本。鑄錠單晶技術可以應用于N型硅片，滿足N-PERT、N-TOPCON、HJT等電池的需要。保利協(xié)鑫通過爐臺改造數(shù)量增加、單臺裝料量提升，不斷快速增加總產(chǎn)能，滿足客戶批量需求。2019年全年產(chǎn)能可達10GW。