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2017年保利協(xié)鑫研發(fā)支出猛增,288%創(chuàng)新高

   2018-03-19 PV-Tech每日光伏新聞38320
核心提示:多晶硅和太陽能硅片生產領軍企業(yè)保利協(xié)鑫報告發(fā)布了令人振奮的業(yè)績報告,該公司全年生產74,818公噸多晶硅及23,902兆瓦硅片,分別
多晶硅和太陽能硅片生產領軍企業(yè)保利協(xié)鑫報告發(fā)布了令人振奮的業(yè)績報告,該公司全年生產74,818公噸多晶硅及23,902兆瓦硅片,分別較2016年提高7.9%和38%左右,繼續(xù)位列全球第一。截至2017年12月31日止,收益達人民幣237.9億元,較2016年同期上升8.0%。

令我們關注的是,2017年保利協(xié)鑫公司研發(fā)支出大幅增長。財報顯示,保利協(xié)鑫的研發(fā)支出從2016年的2.4729億元人民幣(合3910萬美元)提高到2017年的9.5613億元人民幣(合1.5122億美元),增長了288%。

在2017年年度報告中,保利協(xié)鑫表示,受大幅增長的研發(fā)支出的影響其光伏板塊毛利潤略有下降,但公司總體毛利同比增長仍很明顯,毛利約人民幣82億元,較2016年同期上升16.4%。

單晶研發(fā)活動

保利協(xié)鑫指出,在從SunEdison手中收購了包括流化床反應器技術和連續(xù)直拉單晶技術(CCZ)在內的多晶硅材料技術后,公司將這些技術用于定制的低成本國產設備,這些設備將用于正在中國新疆建設的新的大型項目中。

連續(xù)直拉單晶技術和設備的設計旨在滿足對P型單晶和N型單晶硅片的需求,實現(xiàn)低成本生產,同時也為了滿足高效P型單晶PERC(鈍化發(fā)射極和背面電池技術)太陽能電池和IBC(叉指背接觸)以及異質結(HJT)太陽能電池的半導體等級要求,這些電池都需要使用N型單晶硅片。

研發(fā)活動包括低能耗的連續(xù)投料直拉單晶'熱屏蔽'技術以及高速拉錠和大量進料技術。

多晶研發(fā)活動

作為全球最大的多晶硅錠和硅片生產商,保利協(xié)鑫強調稱,金剛線切割和“黑硅”硅片絨面工藝的研發(fā)和實踐活動旨在將所有產能完全轉移到這兩種相互關聯(lián)的技術上,這是 “2017年保利協(xié)鑫的最核心工作。”

保利協(xié)鑫表示,公司已完成所有硅片切片機的升級以顯著降低硅片加工成本。在推出第一代'TS'雙面黑硅產品后,公司又推出第二代'TS+'單面黑硅產品。公司研發(fā)TS+產品的目的是為了減少硅片上的“絨面”,從而降低絨面工藝成本,促進多晶硅片廣泛使用PERC電池技術。

晶體硅研發(fā)活動

研發(fā)活動還側重于生產過程的自動化和“信息化”,包括用于提高生產率的智能制造技術和程序。

由于采取了這些措施,公司多晶硅產量提高了約7.9%,2017年多晶硅產量達到約74818MT,而名義產能仍為70000MT。

保利協(xié)鑫強調稱,2017年公司共申請了133項專利,其中包括49項‘發(fā)明專利’,獲得了120項專利授權,因而研發(fā)經費增長。

公司累計申請了1054項專利,獲得了637項專利授權,其中289項被認定為發(fā)明專利。 
 
標簽: 保利協(xié)鑫
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