我國著名科學(xué)家、中國工程院院士、中國科學(xué)院金屬研究所研究員、冶金法太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟專家委員會(huì)主任聞立時(shí)先生，因病于2010年4月6日晚在深圳醫(yī)治無效，不幸與世長(zhǎng)辭，終年74歲。

　　聞立時(shí)院士是2010年2月26日在深圳大族激光公司作報(bào)告時(shí)突發(fā)腦梗塞倒下。病后，中國工程院、中國科學(xué)院、深圳市政府十分關(guān)心，從廣州、北京立刻派腦科專家赴深圳會(huì)診。但因腦干出血，經(jīng)一個(gè)多月的努力，終因醫(yī)治無效而溘然長(zhǎng)逝。

　　聞立時(shí)，1936年3月23日出生于湖北省武漢市，原籍湖北省浠水縣。1960年畢業(yè)于莫斯科鋼鐵學(xué)院物理化學(xué)系。中國科學(xué)院金屬研究所研究員。薄膜和納米科技專家。1999年當(dāng)選為中國工程院院士。長(zhǎng)期從事等離子體表面工程技術(shù)和界面研究，主要研究耐高溫防護(hù)層和納米多層膜電磁功能材料。“電弧等離子體技術(shù)及其在表面防護(hù)上的應(yīng)用”、“衛(wèi)星回收天線耐高溫隔熱涂層”均獲1977年遼寧省重大科技成果獎(jiǎng)；“返回地面式人造衛(wèi)星”、“中速率遙測(cè)熱天線”分獲1986年國家科技進(jìn)步特等獎(jiǎng)和三等獎(jiǎng); “納米復(fù)合電磁功能材料原理開發(fā)”獲1991年中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng) ；“納米復(fù)合電磁功能材料應(yīng)用技術(shù)”獲1997年中國航天工業(yè)總公司科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。公開發(fā)表論文210余篇，出版專著5本，譯著1本。1991年獲國防科工委表彰和中科院“七五”重大科研任務(wù)先進(jìn)工作者，1992年獲國務(wù)院政府特殊津貼; 1995年獲遼寧省優(yōu)秀專家。1999年當(dāng)選中國工程院院士，2006年11月獲沈陽市榮譽(yù)優(yōu)秀專家稱號(hào)。

　　聞院士是中國現(xiàn)代史上著名的愛國志士聞一多先生的堂侄；父親聞允志烈士亦是知名的八路軍抗日將領(lǐng)，現(xiàn)安葬于邯鄲晉冀魯豫烈士陵園。

    訃聞聞立時(shí)院士逝世

    上海普羅新能源有限公司 總裁
　　中國冶金法太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟   理事長(zhǎng)
　　史? 博士

    我國著名科學(xué)家、中國工程院院士、中國科學(xué)院金屬研究所研究員、冶金法太陽能級(jí)多晶硅產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟專家委員會(huì)主任聞立時(shí)先生，因病于2010年4月6日晚在深圳醫(yī)治無效，不幸與世長(zhǎng)辭，終年74歲。

    聞立時(shí)院士是2010年2月26日在深圳大族激光公司作報(bào)告時(shí)突發(fā)腦梗塞倒下。病后，中國工程院、中國科學(xué)院、深圳市政府十分關(guān)心，從廣州、北京立刻派腦科專家赴深圳會(huì)診。但因腦干出血，經(jīng)一個(gè)多月的努力，終因醫(yī)治無效而溘然長(zhǎng)逝。

    聞立時(shí)院士，1936 年 3月 23 日生于湖北省武漢市，中國科學(xué)院金屬研究所，復(fù)合材料專家，專業(yè)：表面工程、納米科技。1952年入南開大學(xué)物理系，隨后到北京俄文專修學(xué)校留蘇預(yù)備部，1954.年到莫斯科鋼鐵學(xué)院物理化學(xué)系學(xué)習(xí)，1960年畢業(yè)于莫斯科鋼鐵學(xué)院，獲冶金工程師稱號(hào)。1960年到中科院金屬所工作，從實(shí)習(xí)研究員到研究員、博士導(dǎo)師。1979-1981年獲西德馬普金屬所獎(jiǎng)學(xué)金，去馬普作博士后訪問學(xué)者?！?996.年還擔(dān)任美國ANC Ion Coating, Inc. 總工程師兼科學(xué)顧問。現(xiàn)任中國科學(xué)院金屬研究所研究員，博士生導(dǎo)師。兼任中國金屬學(xué)會(huì)理事，中國真空學(xué)會(huì)理事、中國冶金法太陽能級(jí)多晶硅聯(lián)盟專家委員會(huì)主任等職。1999年當(dāng)選為中國工程院院士。

    聞院士發(fā)表論文250余篇，專著7本。獲1986年國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)，1991年中國科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。聞立時(shí) (Lishi Wen; L.S.Wen 1936 - ) 復(fù)合材料專家。1960年畢業(yè)于莫斯科鋼鐵學(xué)院，獲冶金工程師稱號(hào)。1979-1981年獲西德馬普金屬所獎(jiǎng)學(xué)金，去馬普作博士后訪問學(xué)者?，F(xiàn)任中國科學(xué)院金屬研究所研究員，博士生導(dǎo)師。兼任中國金屬學(xué)會(huì)理事，中國真空學(xué)會(huì)理事等職。1999年當(dāng)選為中國工程院院士。

    他長(zhǎng)期從事表面工程和納米技術(shù)研究工作。研制成功納米多層膜和納米膜/涂料復(fù)合層兩系列電磁功能材料，并在國防建設(shè)中得到應(yīng)用；六十年代初，建立了電弧等離子噴涂設(shè)備，研制成功各種用途的耐高溫涂層和復(fù)合涂層；研制出90年代國際先進(jìn)電磁脈沖偏壓電弧離子鍍膜機(jī)。

    聞立時(shí)也是我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的主要推動(dòng)者之一。他近年在多晶硅行業(yè)卻四處奔走，致力于發(fā)展中國的多晶硅產(chǎn)業(yè)。在2006年中國太陽能“香山科學(xué)會(huì)議”上，聞立時(shí)院士也與其它幾位院士共同擔(dān)任執(zhí)行主席。他在會(huì)議上指出，目前國際上生產(chǎn)多晶硅的主要技術(shù)“西門子法”有其不足之處，主要表現(xiàn)在流程核心環(huán)節(jié)上采用了落后的TCVD，并針對(duì)以上情況提出了我國多晶硅發(fā)展路線的一些技術(shù)新設(shè)想，高純多晶硅生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)應(yīng)是國家研發(fā)的重點(diǎn)；是比較早就呼吁在化學(xué)法以外找出路的院士之一。他認(rèn)為，我國長(zhǎng)期以來對(duì)科技自主創(chuàng)新的支持力度不夠，科研投入太少，政府往往認(rèn)為這個(gè)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)了產(chǎn)品，走向了市場(chǎng)，就不需要國家再繼續(xù)投入科研經(jīng)費(fèi)了。其實(shí)，由于硅材料嚴(yán)重短缺的制約，缺乏國家的相關(guān)政策支持，光伏